Vishay推出1.7 mΩ导通电阻、低功耗、高效60 V TrenchFET® MOSFET
器件采用PowerPAK® SO-8单体封装，栅极电荷为52 nC，输出电荷为68 nC均达到同类产品最佳水平
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SiR626DPMedia Contact - Bob Decker, Red Pines Group
Phone: 1.415.409.0233
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宾夕法尼亚、MALVERN —2019年2月18日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8单体封装的60 V TrenchFET® 第四代 n沟道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR626DP专门用于提高功率转换拓扑结构的效率，导通电阻比前代器件降低36%，同时栅极电荷和输出电荷达到同类产品最低水平。
日前发布的器件10 V条件下最大导通电阻降至1.7 mΩ，栅极电荷仅为52 nC，输出电荷为68 nC，COSS为992 pF。在功率转换应用中，这款MOSFET的栅极电荷与导通电阻乘积和输出电荷与导通电阻乘积优值系数 (FOM) 分别比前代器件降低32 %和45 %。MOSFET的COSS降低69 %。
SiR626DP改进了技术规格，经过调校最大限度降低导通和开关损耗。器件提高了AC/DC拓扑结构同步整流，隔离式DC/DC拓扑结构原边和副边开关效率，适用于太阳能微型逆变器和通信、服务器、医疗设备电源、电动工具和工业设备电机驱动控制、电池管理模块的电池切换。
MOSFET经过100% RG和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
SiR626DP现可提供样品并已实现量产。产品供货周期为30周，视市场情况而定。
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VISHAY
张艳（Chris Zhang）
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Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一，这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户，Vishay承载着科技基因——The DNA of tech.® Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。
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TrenchFET 和 PowerPAK 是 Siliconix 公司的注册商标。
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