ビシェイ社、コモンドレイン・デュアルNチャネル60 V MOSFETを発表

電力密度と効率性を向上

標準10 mΩのRS‑S(ON) と面積当たりRS-S(ON) は業界最小

24Vシステムの双方向スイッチングに最適

 

SiSF20DN

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SiSF20DN
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Media Contact - Bob Decker, Red Pines Group
Phone: 1.415.409.0233
Fax: 1.650.618.1512
E-mail: bob.decker@redpinesgroup.com

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2019年12月11日:ビシェイ・インターテクノロジー社(米国ペンシルバニア州、NYSE: VSH 、日本法人:ビシェイジャパン株式会社、東京都渋谷区、代表取締役社長:小澤政治)は本日、コモンドレイン・デュアルNチャネル60 V MOSFETを、耐熱性の高い PowerPAK® 1212-8SCD パッケージで発表しました。ビシェイSiliconixブランドのSiSF20DNは業界最小のRS-S(ON) を60 Vコモンドレインデバイスで提供し、バッテリー管理システム、プラグインおよび無線充電器、DC/DCコンバータ、電源アプリケーション向けに電力密度と効率性を向上する目的で設計されています。

本日リリースされたデュアルMOSFETは、3 mm x 3 mm 60Vデバイスとしては最小の10 Vで標準10 mΩのRS-S(ON) を提供します。これは、同じ実装面積で2番目に良い数値と比べて42.5 %、ビシェイの前世代デバイスと比べて89 %も低い数値です。結果として、電気経路における電圧降下の削減と電源損失の軽減により効率性を向上します。SiSF20DNのRS1S2(ON) と面積の積は、より大きな6 mm x 5 mmソリューションを含めた2番目に良いMOSFETと比べても46.6 %低いのが特長です。

新デバイスは、コモンドレイン設計で2つのTrenchFET® Gen IV NチャネルMOSFETをモノリシックに統合した最適化されたパッケージによりPCBスペースと部品数の削減、設計の簡素化に貢献します。SiSF20DNのソースコンタクトは隣り合わせに配置され、拡大した接続端子がPCBとの接触面を増加し、従来のデュアルパッケージデバイスと比べて抵抗値を削減します。MOSFETのこの特長的なデザインにより、24 Vシステムや、ファクトリーオートメーション、パワーツール、ドローン、白物家電、ロボット、セキュリティ/監視、煙探知器などの産業アプリケーションの双方向スイッチング用途に最適です。

SiSF20DNは全数RgおよびUIS試験済、RoHSに準拠するハロゲンフリー品です。

サンプルおよび製品は既にご提供可能で、量産時の標準納期は30週間です。

ビシェイ・インターテクノロジー社は、世界最大のディスクリート半導体および受動電子部品ポートフォリオのメーカーです。同社の部品は、自動車、産業、コンピューティング、テレコミュニケーション、航空宇宙、医療における革新的なデザインに採用されています。The DNA of tech.™のビシェイ社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界各国のお客様を支援します。ビシェイ社のホームページは www.vishay.com

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「PowerPAK」はシリコニクス社の登録商標です。

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