ビシェイ社、60 V MOSFETの新製品を発表
効率性と電力密度を向上、4 mΩのRDS(ON)、3.3 mm2面積で提供
標準ゲートドライブに最適、22.5 nCの低ゲート電荷、34.2 nCのQOSS、PowerPAK® 1212-8Sで提供
Products mentioned:
SiSS22DNMedia Contact - Bob Decker, Red Pines Group
Phone: 1.415.409.0233
Fax: 1.650.618.1512
E-mail: bob.decker@redpinesgroup.com
Sales Contact: http://www.vishay.com/
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2019年8月12日：ビシェイ・インターテクノロジー社（米国ペンシルバニア州、NYSE: VSH 、日本法人：ビシェイジャパン株式会社、東京都渋谷区、代表取締役社長：小澤政治）は本日、業界初の標準ゲートドライブ向けに最適化され、10Vで4 mΩまでの低オン抵抗を提供する60 V のNチャネルTrenchFET® Gen IVパワーMOSFETを、耐熱性が強化された3.3 mm by 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S パッケージで発表しました。ビシェイSiliconixブランドのSiSS22DNはスイッチングトポロジーの効率性と電力密度を向上するよう設計されており、22.5 nCの低いゲート電荷と出力電荷(QOSS)を特長とします。
通常のロジックレベルが60Vデバイスとは異なり、SiSS22DNの標準VGS(th) およびミラー・プラトー電圧は6 V以上のゲート駆動電圧回路向けに強化されています。最適なダイナミック特性を提供することで同期整流アプリケーションでのデッドタイムの短縮化とシュートスルーを防止します。SiSS22DNの業界最小のオン抵抗は2番目に良い製品と比べて4.8 %低く、最先端のロジックデバイスに匹敵します。34.2 nCのQOSSは、このクラスで最高のQOSS とオン抵抗の積（ゼロ電圧スイッチング(ZVS)またはスイッチタンクトポロジーを採用する電力変換アプリケーションでのMOSFETの重要な性能指数のFOMを実現します。また、6 mm x 5 mmによる同様のソリューションと比べてPCBスペースが65 %削減され、電力密度を向上します。
SiSS22DNの仕様は、導通損失とスイッチング損失を同時に最小限に抑えるよう微調整されています。効率性を向上し、AC/DC およびDC/DCトポロジーの同期整流、DC/DCコンバータの一次スイッチング、昇降圧コンバータのハーフブリッジMOSFETパワーステージ、テレコムおよびサーバー電源のOR-ing機能、パワーツールや産業機器のモーター駆動制御と回路保護、バッテリー管理モジュールのバッテリー保護と充電等の、電力管理システムビルディングブロックに最適です。
MOSFETは全数RgおよびUIS試験済、RoHSに準拠するハロゲンフリー品です。
サンプルおよび製品は既にご提供可能で、量産時の標準納期は30週間です。
ビシェイ・インターテクノロジー社は、世界最大のディスクリート半導体および受動電子部品ポートフォリオのメーカーです。同社の部品は、自動車、産業、コンピューティング、テレコミュニケーション、航空宇宙、医療における革新的なデザインに採用されています。The DNA of tech.™のビシェイ社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界各国のお客様を支援します。ビシェイ社のホームページは www.vishay.com。
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注：「TrenchFET」・「PowerPAK」は、 Siliconix の登録商標です。
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