ビシェイ社、TMBS®ダイオードをSMFパッケージで発表

スペース削減、電力密度と効率を向上

1 A3 Aデバイス、45 V 150 Vの耐圧、 0.36 Vの低い順方向電圧を提供

 

TMBSinSMF

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2019年1月30日:ビシェイ・インターテクノロジー社(米国ペンシルバニア州、NYSE: VSH 、日本法人:ビシェイジャパン株式会社、東京都渋谷区、代表取締役社長:小澤政治)は本日、表面実装型TMBS® Trench MOSバリア・ショットキーダイオードの15種の1 A、2 A、3 Aデバイスの新製品を低背のSMF (DO-219AB)パッケージで発表しました。SMAパッケージと比べて省スペース化を提供、45 V ~ 150 の耐圧を特長とします。3 Aの定格電流はSMFパッケージのデバイスとしては業界最高クラスです。

従来の定格電流3 A までのショットキーダイオードはSMAパッケージで提供されていました。本日リリースしたデバイスは小型SMFパッケージを採用、また高い順方向電流を提供することで電力密度を向上します。高さ0.98 mm 、3.7 mm x1.8 mmのこのパッケージはSMAパッケージと比べて高さは46 %低く、PCBスペースは49 %減少しています

1 Aで0.36 V、2Aで0.40 V、3Aで0.43 Vの低い順方向電圧降下を提供し、商用、産業機器向けの高周波インバータ、DC/DCコンバータ、フライホイールダイオード、極性保護に最適で、電力損失を低減し効率を向上します。また、車載用途向けにAEC-Q101準拠バージョンでの提供も可能です。

新デバイスは動作ジャンクション温度が最大+175 ℃、J-STD-020の吸湿レベル(MSL)1を満たし、LFはピーク時260 ℃です。自動組み立て装置に対応し、RoHSに準拠するハロゲンフリー品です。

デバイス仕様表:

Part #

IF(AV) (A)

VRRM (V)

IFSM (A)

VF at IF and TJ

TJ max. (°C)

VF (V)

IF (A)

TA (°C)

V1FL45

1.0

45

30

0.36

1

125

150

V1F6

1.0

60

30

0.45

1

125

150

V1FM10

1.0

100

30

0.59

1

125

175

V1FM12

1.0

120

30

0.61

1

125

175

V1FM15

1.0

150

30

0.64

1

125

175

V2FL45

2.0

45

40

0.40

2

125

150

V2F6

2.0

60

50

0.45

2

125

150

V2FM10

2.0

100

40

0.62

2

125

175

V2FM12

2.0

120

40

0.65

2

125

175

V2FM15

2.0

150

40

0.69

2

125

175

V3FL45

3.0

45

50

0.43

3

125

150

V3F6

3.0

60

60

0.49

3

125

150

V3FM10

3.0

100

55

0.62

3

125

175

V3FM12

3.0

120

60

0.64

3

125

175

V3FM15

3.0

150

40

0.66

3

125

175

サンプルおよび製品は既にご提供可能で、量産時の標準納期は12週間です。

デバイス仕様表にある部品番号の詳細については、www.vishay.com/doc?48477.を参照ください。

ビシェイ・インターテクノロジー社は、世界最大のディスクリート半導体および受動電子部品ポートフォリオのメーカーです。同社の部品は、自動車、産業、コンピューティング、テレコミュニケーション、航空宇宙、医療における革新的なデザインに採用されています。The DNA of tech.™のビシェイ社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界各国のお客様を支援します。ビシェイ社のホームページは www.vishay.com

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TMBS とeSMPは、ビシェイ社の登録商標です。

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