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ビシェイ社、80 V MOSFETを発表、同等製品に比べて最高レベルのオン抵抗とゲート電荷の積(FOM)を提供、効率性を向上

2.35 mΩのオン抵抗、55 nCのゲート電荷、614 pFのCOSS、 PowerPAK® SO-8シングルパッケージで提供


Products mentioned:

SiR680ADP
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2020年1月29日:ビシェイ・インターテクノロジー社(米国ペンシルバニア州、NYSE: VSH 、日本法人:ビシェイジャパン株式会社、東京都渋谷区、代表取締役社長:小澤政治)は本日、80 V のNチャネルTrenchFET® Gen IVパワーMOSFETを、6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8シングル パッケージで発表しました。ビシェイSiliconixブランドの SiR680ADPは、電力変換トポロジーやスイッチング回路の効率性を向上し省電力化を実現するよう設計されており、オン抵抗とゲート電荷の積は同等製品に比べて最高レベルの129 mΩ*nCです。

本日リリースされたデバイスはゲート電圧10 Vで標準2.35 mΩの低いオン抵抗、55  nCの極めて低いゲート電荷、614 pFのCOSSを提供します。これらの仕様は、スイッチング、チャネル導通、ダイオード導通における電力損失を抑え、結果として効率性を向上するよう微調整されています。オン抵抗とゲート電荷の積(FOM)は競合製品および前世代デバイスと比べてそれぞれ12.2 %、22.5 %低くなっており、標準的な48 Vの入力、12 V出力のDC/DCコンバーター向けに最も効率良いソリューションを提供します。

SiR680ADPは、同期整流、一次スイッチング、バック・ブーストコンバーター、共振タンクスイッチングコンバーターなど幅広いDC/DC や AC/DC変換アプリケーションのビルディングブロック、テレコムやデータセンターサーバー電源のOR-ing機能、ソーラーマイクロインバータ、パワーツールや産業機器のモーター駆動制御、バッテリー管理モジュールのバッテリースイッチング等の用途に最適です。

MOSFETは全数RgおよびUIS試験済、RoHSに準拠するハロゲンフリー品です。

サンプルおよび製品は既にご提供可能で、量産時の標準納期は12週間です。

ビシェイ・インターテクノロジー社は、世界最大のディスクリート半導体および受動電子部品ポートフォリオのメーカーです。同社の部品は、自動車、産業、コンピューティング、テレコミュニケーション、航空宇宙、医療における革新的なデザインに採用されています。The DNA of tech.™のビシェイ社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界各国のお客様を支援します。ビシェイ社のホームページは www.vishay.com

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「TrenchFET」と「 PowerPAK」はSiliconix社の登録商標です。

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