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Vishay推出高效80 V MOSFET,导通电阻与栅极电荷乘积即优值系数达到同类产品最佳水平

器件采用PowerPAK® SO-8单体封装,导通电阻降至2.35 mΩ,栅极电荷为55 nC,COSS为614 pF


Products mentioned:

SiR680ADP
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宾夕法尼亚、MALVERN — 2020129 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE股市代号:VSH)宣布,推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8单体封装的80 V TrenchFET® 第四代n沟道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP专门用来提高功率转换拓扑结构和开关电路的效率,从而节省能源,其导通电阻与栅极电荷乘积,即功率转换应用中MOSFET的重要优值系数(FOM)为129 mΩ*nC,达到同类产品最佳水平。

日前发布的器件10 V条件下导通电阻典型值降至2.35 mΩ,超低栅极电荷仅为55 nC,COSS为614 pF。这些改进后的技术规格,经过调校最大限度降低开关、通道导通和二极管导通功耗,从而提高能效。这款MOSFET的导通电阻与栅极电荷乘积优值系数(FOM)比紧随其后的竞争产品低12.2 %,比前代器件低22.5 %,使其成为典型48 V输入,12 V输出DC/DC转换器最高效的解决方案。

SiR680ADP可作为模块用于各种DC/DC和AC/DC转换应用,如同步整流、原边开关、降压-升压转换器,谐振回路开关转换器以及系统OR-ing功能,适用于电信和数据中心服务器电源、太阳能微型逆变器、电动工具和工业设备电机驱动控制、电池管理模块的电池切换。

新款MOSFET经过100 % RG和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。

SiR680ADP现可提供样品并已实现量产,供货周期为12周。

 

新闻联系人:

VISHAY

张艳(Chris Zhang)

地址:上海市淮海西路 55 号 申通信息广场 15 楼 D 座

电话:(8621)22315596

传真:(8621)22315551

Email:chris.zhang@vishay.com

 

Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一,这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户,Vishay承载着科技基因——The DNA of tech.™ 。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com

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TrenchFET和PowerPAK 是Siliconix公司注册商标。

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