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Vishay推出采用PowerPAK® 1212‑8S封装的-30 V P沟道MOSFET, RDS(ON)达到业内最低水平,提高功率密度,节省便携式电子设备能源

器件占位面积10.89 mm2,RDS(ON)降至3.5 mW,FOM降至172 mW*nC,均为业内最佳水平


Products mentioned:

SiSS05DN
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宾夕法尼亚、MALVERN—2020210 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE股市代号:VSH)推出新型 -30 V p沟道TrenchFET®第四代功率MOSFET,器件采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装,10 V条件下导通电阻达到业内最低的3.5 mΩ,同时,导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET在开关应用的重要优值系数(FOM)为172 mΩ*nC,达到同类产品最佳水平。节省空间的Vishay Siliconix SiSS05DN专门用来提高功率密度,占位面积比采用6mm x 5mm封装的相似导通电阻器件减小65 %。

日前发布的MOSFET导通电阻比上一代解决方案低26 %,比市场上排名第二的产品低35 %,而FOM比紧随其后的竞争器件低15 %。 这些业内最佳值降低了导通和开关损耗,从而节省能源并延长便携式电子设备的电池使用寿命,同时最大限度降低整个电源路径的压降,以防误触发。器件紧凑的外形便于安装在PCB面积有限的设计中。

行业标准面积尺寸的SiSS05DN可直接替代升级5 V至20 V输入电源应用中的现有器件。 该MOSFET适用于适配器和负载开关、反向极性保护、电池供电设备电机驱动控制、电池充电器、消费类电子、计算机、电信设备等。

器件经过100 % RG和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。

SiSS05DN现可提供样品并已实现量产,供货周期为12周,视市场情况而定。 

新闻联系人:

VISHAY

张艳(Chris Zhang)

地址:上海市淮海西路 55 号 申通信息广场 15 楼 D 座

电话:(8621)22315596

传真:(8621)22315551

Email:chris.zhang@vishay.com

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”,是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器和电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用在工业、计算、汽车、消费、电信、军工、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备当中。凭借产品创新、成功的战略收购,以及“一站式”服务,Vishay成功跻身业界领导厂商之列。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com

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PowerPAK和 TrenchFET是Siliconix公司注册商标。

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