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200-V-n-Kanal-MOSFET von Vishay Intertechnology im PowerPAK®-1212‑8S-Gehäuse stellt neuen Rekord auf mit  extrem kleinen RDS(ON), steigert somit die Leistungsdichte und spart Energie

Der neue TrenchFET® hat bei einer Gehäusegröße von nur nur 10,89 mm² einen typischen RDS(ON) von nur 61 mΏ und ein FOM von 854 mΏ*nC


Products mentioned:

SiSS94DN
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Malvern, Pennsylvania (USA)– 23. September 2020 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert einen neuen 200-V-n-Kanal-MOSFET im 3,3 mm x 3,3 mm großen, thermisch optimierten PowerPAK®-1212-8S-Gehäuse, der mit einem On-Widerstand von nur 61 mΏ bei 10 V Gate-Spannung einen neuen Branchenrekord aufstellt und zudem einen besonders geringen FOM-Wert von nur 854 mΏ*nC bietet. FOM steht für "figure of merit" und entspricht dem Produkt aus On-Widerstand und Gate-Ladung. Die FOM-Spezifikation ist eine wichtige Kennzahl für MOSFETs, die in Schaltanwendungen eingesetzt werden. Der auf höhere Leistungsdichte hin entwickelte SiSS94DN von Vishay Siliconix ist um 65% kleiner als andere MOSFETs mit vergleichbarem On-Widerstand im 6 mm x 5 mm großen Gehäuse.

Der typische On-Widerstand des neuen TrenchFET®-Gen-IV-Leistungs-MOSFETs ist um 20% kleiner als der des nächstbesten Produkts am Markt mit vergleichbarer Gehäusegröße, und der FOM-Wert um 17% kleiner als bei der Vorgängergeneration. Diese exzellenten Spezifikationen führen zu verringerten Durchlass- und Schaltverlusten, das spart Energie. Durch seine kompakte Größe ermöglicht das vielseitige Bauelement Entwicklern, Leiterplattenfläche zu sparen, indem sie einen wesentlich größeren MOSFET mit den gleichen Durchlassverlusten ersetzen; alternativ können sie einen MOSFET ähnlicher Größe mit höheren Durchlassverlusten ersetzen und so die Energieeffizienz verbessern.

Der SiSS94DN eignet sich ideal für den Einsatz als primärseitiger Schalter in galvanisch getrennten Gleichspannungswandlern oder als Synchrongleichrichter in Telekom-Applikationen, Computerperipheriegeräten und Consumerelektronik-Produkten; weitere Anwendungen sind LED-Hintergrundbeleuchtung für Notebooks, LED-Fernseher, Fahrzeuge und Wasserfahrzeuge, Motorantriebssteuerungen, Lastschalter und Energiewandler in GPS-, Fabrikautomatisierungs- und Industrie-Anwendungen.

Das Bauteil ist 100% RG- und UIS-getestet und ist RoHS-konform und halogenfrei.

Der neue MOSFET ist ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen mit einer Lieferzeit von zwölf Wochen lieferbar.

Vishay bietet eines der weltweit größten Angebote an diskreten Halbleiterbauelementen und passiven elektronischen Bauteilen, die innovative Designs ermöglichen und in den unterschiedlichsten Märkten Verwendung finden – von Automobilindustrie über Computer, Consumer-Produkte und Telekommunikation bis hin zu Luft-/Raumfahrt-/Wehrtechnik und Medizintechnik. Mit seinem weltweiten Kundenstamm ist Vishay The DNA of tech.TM Vishay Intertechnology, Inc. zählt zu den Fortune-1000-Unternehmen und ist an der New Yorker Börse (NYSE) unter dem Tickersymbol VSH notiert. Weitere Informationen über Vishay finden Sie unter www.vishay.com.

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