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30-V-MOSFET-Halbbrücken-Leistungsstufe von Vishay Intertechnology im PowerPAIR®-3x3F-Gehäuse liefert 11% mehr Ausgangsstrom

Dual-MOSFET mit integrierter Schottky-Diode bietet höhere Leistungsdichte und höheren Wirkungsgrad, benötigt dabei 65% weniger Leiterplattenfläche im Vergleich zu ähnlichen Bauteilen im 6 mm x 5 mm großen Gehäuse


Products mentioned:

SiZF300DT
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Malvern, Pennsylvania (USA) – 8. Juli 2020 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert eine neue 30-V-n-Kanal-MOSFET-Halbbrücken-Leistungsstufe, die einen High-Side-TrenchFET®-MOSFET und einen Low-Side-SkyFET®-MOSFET plus eine integrierte Schottky-Diode in einem nur 3,3 mm x 3,3 mm großen PowerPAIR®-Gehäuse vereint. Die für Spannungswandler-Anwendungen in Computern und Telekom-Ausrüstung vorgesehene Halbbrücken-Leistungsstufe SiZF300DT von Vishay Siliconix zeichnet sich durch höhere Leistungsdichte und höheren Wirkungsgrad aus, außerdem verringert sie die Bauteilanzahl und vereinfacht das Design.

Die beiden MOSFETs in dem neuen Dual-Bauteil sind intern zu einer Halbbrückenschaltung verbunden. Der Kanal-1-MOSFET hat einen maximalen On-Widerstand von 4,5 mΩ bei 10 V Gate-Source-Spannung bzw. 7,0 mΩ bei 4,5 V. Der Kanal-2-MOSFET hat einen maximalen
On-Widerstand von 1,84 mΩ bei 10 V bzw. 2,57 mΩ bei 4,5 V. Die typische Gate-Ladung der MOSFETs beträgt 6,9 nC bzw. 19,4 nC.

Die Halbbrücken-Leistungsstufe SiZF300DT ist um 65% kleiner als konkurrierende Dual-MOSFETs mit vergleichbaren On-Widerständen im Gehäuseformat 6 mm x 5 mm; SiZF300DT ist damit eines der kompaktesten integrierten Leistungsprodukte am Markt. Das Bauteil bietet Entwicklern eine platzsparende Lösung für Point-of-Load- (POL) Spannungswandler, Stromversorgungen, Synchron-Abwärtsregler und Gleichspannungswandler in Grafik- und Beschleunigerkarten, Computern, Servern sowie Telekom- und Funknetz-Ausrüstung.

Dank seiner einzigartigen Pin-Konfiguration und seines innovativen Designs kann der neue Dual-MOSFET bei gleicher Grundfläche bis zu 11% höhere Ausgangsströme – bis über 20 A –pro Stromphase liefern als Konkurrenzprodukte, und das zudem mit höherem Wirkungsgrad. Die spezielle Pin-Konfiguration und das große PGND-Pad verbessern außerdem die Wärmeabfuhr, optimieren den Strompfad und vereinfachen das Leiterplattenlayout.

Die Halbbrücken-Leistungsstufe SiSF20DN wird 100% Rg- und UIS-getestet und ist RoHS-konform und halogenfrei.

Der neue Dual-MOSFET ist ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen lieferbar; die Lieferzeit für große Bestellmengen beträgt zwölf Wochen.

Vishay bietet eines der weltweit größten Angebote an diskreten Halbleiterbauelementen und passiven elektronischen Bauteilen, die innovative Designs ermöglichen und in den unterschiedlichsten Märkten Verwendung finden – von Automobilindustrie über Computer, Consumer-Produkte und Telekommunikation bis hin zu Luft-/Raumfahrt-/Wehrtechnik und Medizintechnik. Mit seinem weltweiten Kundenstamm ist Vishay The DNA of tech.TM Vishay Intertechnology, Inc. zählt zu den Fortune-1000-Unternehmen und ist an der New Yorker Börse (NYSE) unter dem Tickersymbol VSH notiert. Weitere Informationen über Vishay finden Sie unter www.vishay.com.

http://twitter.com/vishayindust
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SkyFET, TrenchFET und PowerPAIR sind eingetragene Marken der Firma Siliconix Incorporated.

 

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