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ビシェイ社、30 V MOSFETハーフブリッジパワーステージを発表

PowerPAIR® 3x3F11高い出力電流を提供

ショットキーダイオードも内蔵したデュアルデバイス、電力密度と効率性を向上、  6 mm x 5 mmパッケージと比べてPCBスペース65%減


Products mentioned:

SiZF300DT
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2020年7月8日:ビシェイ・インターテクノロジー社(米国ペンシルバニア州、NYSE: VSH 、日本法人:ビシェイジャパン株式会社、東京都渋谷区、代表取締役社長:小澤政治)は本日、ハイサイドTrenchFET® MOSFETとローサイドSkyFET® MOSFETに加え、ショットキーダイオードを一つのPowerPAIR® 3.3 mm x 3.3 mmパッケージに内蔵した新しい30 V NチャネルMOSFETハーフブリッジパワーステージを発表しました。ビシェイSiliconixブランドのSiZF300DTは電力密度と効率性を向上するだけではなく、部品数の削減、設計の簡素化に貢献し、コンピューティングやテレコムアプリケーションに最適です。

本日リリースされたデバイスに使われている2個のMOSFETは、ハーフリッジ構造により内部で接続されています。Channel 1 MOSFETは10 Vで4.5 mΩ、4.5 Vで7.0 mΩの最大オン抵抗を提供します。Channel 2 MOSFETは10 Vで1.84 mΩ、4.5 Vで2.57 mΩのオン抵抗を提供します。MOSFETの標準ゲート電荷はそれぞれ6.9 nC 、19.4 nCです。

SiZF300DTは6 mm x 5 mmパッケージで同等のオン抵抗のデュアルデバイスと比べて65 %小型化され、市場で最もコンパクトな統合型製品です。POL変換、グラフィック・カードやアクセラレーター・カードの電源、同期型バック、DC/DCコンバーター、コンピュータ、サーバー、テレコムやRFネットワークデバイス向けに省スペース化ソリューションを提供します。

デュアルMOSFETはユニークなピン構成と構造を特長とし、同じ実装面積の競合製品と比べて電流位相当たり11 %高い出力電流を実現し、出力電流20 A以上で高効率を提供します。デバイスのピン構成と大きなPGNDパッドは熱の伝導を向上し、電気路の最適化を図り、簡易化されたPCBレイアウトを実現します。

SiZF300DTisは全数RgおよびUIS試験済み、RoHS準拠のハロゲンフリー製品です。  サンプルおよび製品は既にご提供可能で、量産時の標準納期は12週間です。

ビシェイ・インターテクノロジー社は、世界最大のディスクリート半導体および受動電子部品ポートフォリオのメーカーです。同社の部品は、自動車、産業、コンピューティング、テレコミュニケーション、航空宇宙、医療における革新的なデザインに採用されています。The DNA of tech.™のビシェイ社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界各国のお客様を支援します。ビシェイ社のホームページは www.vishay.com

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「SkyFET」「 TrenchFET」「PowerPAIR」は、ビシェイ・Siliconixの登録商標です。

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