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Vishay Intertechnology präsentiert den besten–80-V-p-Kanal-MOSFET seiner Klasse
für Automobilanwendungen, der neue Rekorde für Energieeffizienz und Leistungsdichte aufstellt

Beste FOM-Spezifikation in dieser Klasse, AEC-Q101-qualifiziert, kompaktes PowerPAK®-SO-8L-Gehäuse mit Gullwing-Anschlüssen


Products mentioned:

SQJA81EP
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Malvern, Pennsylvania (USA) – 7. April 2021 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert den weltbesten AEC-Q101-qualifizierten –80-V-p-Kanal-TrenchFET®-MOSFET.
Der neue SQJA81EP von Vishay Siliconix bietet unter allen –80-V-p-Kanal-MOSFETs den geringsten On-Widerstand und erhöht die Leistungsdichte und Energieeffizienz in Automobilanwendungen. Der SQJA81EP im nur 5,13 mm x 6,15 mm großen PowerPAK®-SO-8L-Gehäuse mit Gullwing-Anschlüssen bietet On-Widerstandswerte von 17,3 mΩ (max.) 
bis 14,3 mΩ (typ.) bei 10 V Gate-Spannung.

Der On-Widerstand des neuen, AEC-Q101-qualifizierten MOSFETs ist um 28% geringer als beim nächstbesten Wettbewerbsprodukt im DPAK-Gehäuse – und das bei einer um 50% kleineren Grundfläche – und um 31% geringer als bei Produkten der Vorgängergeneration. Diese hervorragenden Werte führen zu einer signifikanten Verringerung der Durchlassverluste, das spart Energie und ermöglicht eine höhere Leistungsdichte, sowie einer höheren Ausgangsleistung bei gleichen Abmessungen. Die Kombination aus dem extrem kleinen On-Widerstand und der äußerst geringen Gate-Ladung des SQJA81EP (ab 52 nC bei 10 V Gate-Spannung) ergibt einen entsprechend kleinen FOM-Wert (Produkt aus Gate-Ladungs und On-Widerstand); dies ist eine wichtige Kennzahl für MOSFETs in Energiewandler-Anwendungen.

Der für Betriebstemperaturen bis +175°C ausgelegte MOSFET bietet die in Automobilanwendungen wie Verpolungsschutz, Batteriemanagement, High-Side-Lastschalter und LED-Beleuchtung geforderte hohe Robustheit und Zuverlässigkeit. Die Gullwing-Anschlüsse des SQJA81EP vereinfachen die automatisierte Sichtkontrolle (AOI) und minimieren mechanische Spannungen bei Temperaturänderungen, das erhöht die Zuverlässigkeit auf der Leiterplattenebene.

Die hohe Sperrspannung von –80 V bietet eine große Sicherheitsreserve beim Betrieb an üblichen Bordnetz-Spannungen von 12 V, 24 V und 48 V. Dank der höheren Leistungsdichte des neuen MOSFETs müssen weniger Bauteile parallelgeschaltet werden, dadurch wird Leiterplattenfläche eingespart.  Als p-Kanal-MOSFET vereinfacht der SQJA81EP die Gate-Treiber-Schaltung, da die bei n-Kanal-Typen erforderliche Ladungspumpe entfällt. Der bleifreie, halogenfreie und RoHS-konforme MOSFET ist 100%-ig Rg- und UIS-getestet.

Der SQJA81EP ist ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen mit einer Lieferzeit von 14 Wochen lieferbar.

Vishay bietet eines der weltweit größten Angebote an diskreten Halbleiterbauelementen und passiven elektronischen Bauteilen, die innovative Designs ermöglichen und in den unterschiedlichsten Märkten Verwendung finden – von Automobilindustrie über Computer, Consumer-Produkte und Telekommunikation bis hin zu Luft-/Raumfahrt-/Wehrtechnik und Medizintechnik. Mit seinem weltweiten Kundenstamm ist Vishay The DNA of tech.TM Vishay Intertechnology, Inc. zählt zu den Fortune-1000-Unternehmen und ist an der New Yorker Börse (NYSE) unter dem Tickersymbol VSH notiert. Weitere Informationen über Vishay finden Sie unter www.vishay.com.

http://twitter.com/vishayindust
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The DNA of tech™ ist eine Marke der Firma Vishay Intertechnology. VRPower, PowerPAK und TrenchFET sind eingetragene Marken der Firma Siliconix Incorporated.

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