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Neue 650-V-SiC-Schottky-Dioden von Vishay Intertechnology steigern die Energieeffizienz in Hochfrequenzanwendungen

Die Schottky-Dioden im MPS-Design mit Nennströmen von 4 A bis 40 A reduzieren die Schaltverluste und die Einflüsse von Temperaturschwankungen


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Malvern, Pennsylvania (USA) – 25. Januar 2021 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert zehn neue 650-V-Siliziumkarbid- (SiC) Schottky-Dioden. Die neuen, auf einem MPS- (merged PIN Schottky) Design basierenden Schottky-Dioden von Vishay Semiconductors wurden mit dem Ziel entwickelt, die Schaltverluste zu verringern und dadurch die Energieeffizienz von Hochfrequenzanwendungen, unabhängig von Temperatureinflüssen, zu verbessern, wodurch die Bauteile bei höheren Temperaturen als bisher betrieben werden können. 

Das MPS-Design der neuen Schottky-Dioden bewirkt eine Abschirmung des elektrischen Feldes gegenüber der Schottky-Barriere; es verringert Leckströme und erhöht durch Löcherinjektion die Spitzenstrombelastbarkeit. Im Vergleich zu Schottky-Dioden auf der Basis von reinem Silizium sind diese Bauteile bei vergleichbarer Strombelastbarkeit und nur geringfügig höherer Durchlassspannung wesentlich robuster.

Die neuen Schottky-Dioden eröffnen Entwicklern neue Möglichkeiten zur Systemoptimierung in Anwendungen wie: Leistungsfaktorkorrektur-Schaltungen (PFC), Schaltnetzteilen mit hoher Leistung und hoher Taktfrequenz und LLC-Wandlern für Server, Telekomausrüstung, UPS- und Solar-Wechselrichter.  Die neuen Schottky-Dioden sind mit Nennströmen von 4 A bis 40 A in den Gehäusebauformen 2L TO-220AC und TO-247AD 3L verfügbar und für Betriebstemperaturen bis +175°C ausgelegt.  

Die wichtigsten Spezifikationen:

Teilenummer

IF(AV) (A)

VRRM

(V)

IFSM bei 25°C, 10 ms

(A)

VF (typ.) bei IF und TJ

TJ max. (°C)

Gehäuse

VF (V)

IF (A)

TJ (°C)

VS-C04ET07T-M3

4

650

26

1,75

4

150

175

2L TO-220AC

VS-C06ET07T-M3

6

650

39

1,7

6

150

175

2L TO-220AC

VS-C08ET07T-M3

8

650

57

1,7

8

150

175

2L TO-220AC

VS-C10ET07T-M3

10

650

68

1,75

10

150

175

2L TO-220AC

VS-C12ET07T-M3

12

650

80

1,65

12

150

175

2L TO-220AC

VS-C16ET07T-M3

16

650

120

1,65

16

150

175

2L TO-220AC

VS-C20ET07T-M3

20

650

160

1,6

20

150

175

2L TO-220AC

VS-C16CP07L-M3

16

650

53

1,7

8

150

175

TO-247AD 3L

VS-C20CP07L-M3

20

650

64

1,75

10

150

175

TO-247AD 3L

VS-C40CP07L-M3

40

650

160

1,55

20

150

175

TO-247AD 3L

Die neuen SiC-Schottky-Dioden sind ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen mit einer Lieferzeit von zehn Wochen lieferbar.

Vishay bietet eines der weltweit größten Angebote an diskreten Halbleiterbauelementen und passiven elektronischen Bauteilen, die innovative Designs ermöglichen und in den unterschiedlichsten Märkten Verwendung finden – von Automobilindustrie über Computer, Consumer-Produkte und Telekommunikation bis hin zu Luft-/Raumfahrt-/Wehrtechnik und Medizintechnik. Mit seinem weltweiten Kundenstamm ist Vishay The DNA of tech.TM Vishay Intertechnology, Inc. zählt zu den Fortune-1000-Unternehmen und ist an der New Yorker Börse (NYSE) unter dem Tickersymbol VSH notiert. Weitere Informationen über Vishay finden Sie unter www.vishay.com.

http://twitter.com/vishayindust
http://www.facebook.com/VishayIntertechnology

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