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Vishay推出新型650 V SiC肖特基二极管提升高频应用能效

器件额定电流4 A~40 A,采用MPS结构设计,降低开关损耗,不受温度变化影响


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宾夕法尼亚、MALVERN2021125 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)推出十款新型650 V 碳化硅(SiC)肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky(MPS)结构设计,通过降低开关损耗提升高频应用能效,不受温度变化的影响—从而使二极管能够在更高的温度下工作。

日前发布的MPS二极管可屏蔽肖特基势垒产生的电场,减少漏电流,同时通过空穴注入提高浪涌电流能力。与硅肖特基器件相比,新型二极管处理电流相同的情况下,正向压降仅略有上升,坚固程度明显提高。

器件适用于服务器、电信设备、UPS和太阳能逆变器等应用领域的功率因数校正(PFC)续流、升降压续流和LLC转换器输出整流,为设计人员实现系统优化提供高灵活性。二极管采用2L TO-220AC和TO-247AD 3L封装,额定电流为4 A~40 A,可在+175 °C高温下工作。

器件规格表:

产品编号

IF(AV) (A)

VRRM

(V)

25 °C, 10 msIFSM

(A)

IFTJVF (典型值)

TJ最大值 (°C)

封装

VF (V)

IF (A)

TJ (°C)

VS-C04ET07T-M3

4

650

26

1.75

4

150

175

2L TO-220AC

VS-C06ET07T-M3

6

650

39

1.7

6

150

175

2L TO-220AC

VS-C08ET07T-M3

8

650

57

1.7

8

150

175

2L TO-220AC

VS-C10ET07T-M3

10

650

68

1.75

10

150

175

2L TO-220AC

VS-C12ET07T-M3

12

650

80

1.65

12

150

175

2L TO-220AC

VS-C16ET07T-M3

16

650

120

1.65

16

150

175

2L TO-220AC

VS-C20ET07T-M3

20

650

160

1.6

20

150

175

2L TO-220AC

VS-C16CP07L-M3

16

650

53

1.7

8

150

175

TO-247AD 3L

VS-C20CP07L-M3

20

650

64

1.75

10

150

175

TO-247AD 3L

VS-C40CP07L-M3

40

650

160

1.55

20

150

175

TO-247AD 3L

新型SiC二极管现可提供样品并已实现量产,供货周期为10周

Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一,这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户,Vishay承载着科技基因——The DNA of tech.™ 。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com

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The DNA of tech™是Vishay Intertechnology的商标。

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