Vishay Intertechnology präsentiert den weltweit ersten AEC-Q101-qualifizierten 60-V-Dual-MOSFET im asymmetrischen PowerPAK®-SO-8L-Dual-Gehäuse

Der kompakte, nur 5 mm x 6 mm groß Dual-MOSFET spart Platz und steigert die Energieeffizienz von Schaltstromversorgungen für Automobilanwendungen

SQJ264EP

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Malvern, Pennsylvania (USA) –9. November 2020 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert mit einem neuen, AEC-Q101-qualifizierten n-Kanal-60-V-Dual-MOSFET das weltweit erste Bauteil dieser Art im asymmetrischen PowerPAK®-SO-8L-Dual-Gehäuse. Der neue SQJ264EP von Vishay Siliconix erfüllt die Forderungen nach Platzersparnis und Effizienzsteigerúng bei DC/DC-Schaltstromversorgungen für Automobilanwendungen. Das neue Bauteil vereint in einem nur 5 mm x 6 mm großen Gehäuse einen High- und einen Low-Side-MOSFET mit einem maximalen On-Widerstand ab 8,6 mΩ (abhängig von der Gate-Spannung).

Durch die Kombination von zwei TrenchFET®-MOSFETs in einem asymmetrischen Gehäuse reduziert der neue, AEC-qualifizierte Dual-MOSFET die Bauteilanzahl und den Platzbedarf auf der Leiterplatte und erhöht zugleich die Leistungsdichte im Vergleich zu Einzel-MOSFET-Lösungen. Zudem haben die unterschiedlichen Chip-Größen des Steuer-MOSFETs (High-Side) und des Synchron-MOSFETs (Low-Side) zur Folge, dass Spannungswandler bei Tastverhältnissen unter 50% einen höheren Wirkungsgrad als Schaltungen mit symmetrischen Dual-MOSFETs erzielen.

Der Kanal-1-MOSFET im SQJ264EP hat einen maximalen On-Widerstand von 20 mΩ bei 10 V Gate-Spannung und eine typische Gate-Ladung von 9,2 nC, der Channel-2-MOSFET hat einen maximalen On-Widerstand von 8,6 mΩ bei 10 V und eine typische Gate-Ladung von 19,2 nC. Die beiden MOSFETs im SQJ264EP sind intern nicht miteinander verbunden. Dadurch haben Entwickler die Möglichkeit, das Bauteil in verschiedenen Schaltungstopologien einzusetzen, darunter Synchron-Abwärts- und Synchron-Aufwärtsregler.

Der für Betriebstemperaturen bis +175°C spezifizierte Dual-MOSFET bietet die für Automobilanwendungen wie Infotainmentsysteme, Displays und LED-Beleuchtung oder auch E-Bikes geforderte Robustheit und Zuverlässigkeit. Der SQJ264EP besitzt Gullwing-Anschlüsse, die im Vergleich zu QFN-Single- und Dual-Gehäusen einen besseren Lotfluss unter den Pins ermöglichen, eine genauere automatisierte Sichtkontrolle (AOI) erlauben und die Zuverlässigkeit auf der Leiterplattenebene verbessern.

Das Bauteil wird 100% Rg- und UIS-getestet und ist RoHS-konform und halogenfrei.

Der SQJ264EP ist ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen lieferbar; die Lieferzeit für größere Bestellmengen beträgt zwölf Wochen.

Vishay bietet eines der weltweit größten Angebote an diskreten Halbleiterbauelementen und passiven elektronischen Bauteilen, die innovative Designs ermöglichen und in den unterschiedlichsten Märkten Verwendung finden – von Automobilindustrie über Computer, Consumer-Produkte und Telekommunikation bis hin zu Luft-/Raumfahrt-/Wehrtechnik und Medizintechnik. Mit seinem weltweiten Kundenstamm ist Vishay The DNA of tech.TM Vishay Intertechnology, Inc. zählt zu den Fortune-1000-Unternehmen und ist an der New Yorker Börse (NYSE) unter dem Tickersymbol VSH notiert. Weitere Informationen über Vishay finden Sie unter www.vishay.com.

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TrenchFET und PowerPAK sind eingetragene Marken der Firma Siliconix Incorporated.

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