600-V-Fast-Body-Diode-MOSFET der EF-Serie von Vishay Intertechnology eignet sich mit seinem rekordbrechenden RDS(ON)*Qg-Produkt (FOM) ideal für Spannungswandler-Anwendungen

N-Kanal-MOSFET der vierten Generation verringert die Durchlass- und Schaltverluste und steigert die Energieeffizienz

SiHH070N60EF

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SiHH070N60EF
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Malvern, Pennsylvania (USA) – 2. Dezember 2020 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert ein neues Modell seiner vierten Generation von 600-V-Fast-Body-Diode-MOSFETs der EF-Serie. Der neue n-Kanal-MOSFET SiHH070N60EF von Vishay Siliconix bietet im Vergleich zur Vorgängergeneration einen um 29% geringeren On-Widerstand und eine um 60% geringere Gate-Ladung und eignet sich durch seine hohe Energieeffizienz bestens für Stromversorgungsanwendungen in derTelekommunikation, Industrie und im Computerbereich. Der neue MOSFET bietet unter allen vergleichbaren Produkten am Markt das kleinste Produkt aus Gate-Ladung und On-Widerstand – dies ist eine wichtige Kennzahl (FOM, figure of merit) von 600-V-MOSFETs für Spannungswandler-Anwendungen.

Vishay bietet ein breites Spektrum von MOSFET-Technologien, das den gesamten Energieumwandlungsprozess abdeckt – von hohen Eingangsspannungen bis zu den sehr niedrigen Betriebsspannungen moderner Hightech-Produkte. Der SiHH070N60EF und künftige Modelle der vierten Generation von 600-V-MOSFETs der EF-Serie ist Vishays Antwort auf die steigenden Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte in den beiden ersten Stufen der Energiewandler-Architektur – brückenlose Totem-Pole-Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und "sanft" schaltende DC/DC-Wandlertopologien.

Der auf der neuesten, energieeffizienten Superjunction-Technologie der E-Serie basierende SiHH070N60EF hat einen maximalen On-Widerstand von nur 0,061 Ω bei 10 V Gate-Spannung und eine ultrageringe Gate-Ladung von nur 50 nC. Die FOM-Spezifikation (figure of merit, Produkt von On-Widerstand und Gate-Ladung) von nur 3,1 Ω*nC ist damit um 30% kleiner als beim nächstbesten Wettbewerbsprodukt. Diese exzellenten Spezifikationen führen zu verringerten Durchlass- und Schaltverlusten, das spart Energie. Für optimale Performance bei Nulldurchgang-Schalter- (ZVS, Zero Voltage Switching) Topologien wie z. B. LLC-Resonanzwandler bieten die MOSFETs der Serie SiHH070N60EF besonders kleine Ausgangskapazitäten von nur 90 pF (Co(er)) bzw. 560 pF (Co(tr)). Der genannte Co(tr)-Wert ist um 32% kleiner als der des nächstbesten Wettbewerbsprodukts.

Der neue MOSFET im PowerPAK®-8x8-Gehäuse ist RoHS-konform und halogenfrei. Für die Ãœberspannungsfestigkeit im Avalanche-Modus werden Grenzwerte garantiert, und das Bauteil wird auf Einhaltung dieser Spezifikation 100%-ig UIS-getestet.

Der SiHH070N60EF ist ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen mit einer Lieferzeit von zehn Wochen lieferbar.

Vishay bietet eines der weltweit größten Angebote an diskreten Halbleiterbauelementen und passiven elektronischen Bauteilen, die innovative Designs ermöglichen und in den unterschiedlichsten Märkten Verwendung finden – von Automobilindustrie über Computer, Consumer-Produkte und Telekommunikation bis hin zu Luft-/Raumfahrt-/Wehrtechnik und Medizintechnik. Mit seinem weltweiten Kundenstamm ist Vishay The DNA of tech.TM Vishay Intertechnology, Inc. zählt zu den Fortune-1000-Unternehmen und ist an der New Yorker Börse (NYSE) unter dem Tickersymbol VSH notiert. Weitere Informationen über Vishay finden Sie unter www.vishay.com.

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The DNA of tech™ ist eine Marke der Firma Vishay Intertechnology.

PowerPAK ist eine eingetragene Marke der Firma Siliconix Incorporated.

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