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Vishay推出高效80 V MOSFET，导通电阻与栅极电荷乘积即优值系数达到同类产品最佳水平
器件采用PowerPAK® SO-8单体封装，导通电阻降至2.35 mΩ，栅极电荷为55 nC，COSS为614 pF
Products mentioned:
SiR680ADPMedia Contact - Bob Decker, Red Pines Group
Phone: 1.415.409.0233
Fax: 1.650.618.1512
E-mail: bob.decker@redpinesgroup.com
Sales Contact: http://www.vishay.com/
en/company/contacts/
宾夕法尼亚、MALVERN — 2020年1月29日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc. （NYSE股市代号：VSH）宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8单体封装的80 V TrenchFET® 第四代n沟道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP专门用来提高功率转换拓扑结构和开关电路的效率，从而节省能源，其导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中MOSFET的重要优值系数（FOM）为129 mΩ*nC，达到同类产品最佳水平。
日前发布的器件10 V条件下导通电阻典型值降至2.35 mΩ，超低栅极电荷仅为55 nC，COSS为614 pF。这些改进后的技术规格，经过调校最大限度降低开关、通道导通和二极管导通功耗，从而提高能效。这款MOSFET的导通电阻与栅极电荷乘积优值系数（FOM）比紧随其后的竞争产品低12.2 %，比前代器件低22.5 %，使其成为典型48 V输入，12 V输出DC/DC转换器最高效的解决方案。
SiR680ADP可作为模块用于各种DC/DC和AC/DC转换应用，如同步整流、原边开关、降压-升压转换器，谐振回路开关转换器以及系统OR-ing功能，适用于电信和数据中心服务器电源、太阳能微型逆变器、电动工具和工业设备电机驱动控制、电池管理模块的电池切换。
新款MOSFET经过100 % RG和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
SiR680ADP现可提供样品并已实现量产，供货周期为12周。
新闻联系人：
VISHAY
张艳（Chris Zhang）
地址：上海市淮海西路 55 号 申通信息广场 15 楼 D 座
电话：（8621）22315596
传真：（8621）22315551
Email：chris.zhang@vishay.com
Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一，这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户，Vishay承载着科技基因——The DNA of tech.® Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。
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TrenchFET和PowerPAK 是Siliconix公司注册商标。
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E-mail: bob.decker@redpinesgroup.com
Sales Contact: http://www.vishay.com/
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