Malvern, Pennsylvania (USA) –17. August 2020 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert den weltweit ersten –30-V-p-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einem On-Widerstand von nur 1,7 mΩ bei 10 V Gate-Spannung. Mit seinem Rekord-On-Widerstand und dem 6,15 mm x 5,15 mm kleinen, thermisch optimierten PowerPAK^®-SO-8-Single-Gehäuse wurde der Vishay Siliconix TrenchFET^® Gen IV SiRA99DP speziell auf hohe Leistungsdichte getrimmt.

Der extrem kleine On-Widerstand des neuen MOSFETs – eine Reduktion um 43% im Vergleich zum nächstbesten Produkt am Markt – verringert die Durch­lass­spannung, minimiert dadurch den Durchlassverlust und ermöglicht eine höhere Leistungsdichte. Hinzu kommt eine sehr geringe Gate-Ladung von nur 84 nC. Daraus resultiert ein FOM-Wert (Produkt aus Gate-Ladung und R_DS(ON)) von nur 185 mΩ*nC. Auch in dieser Hinsicht ist der SiRA99DP in seiner Klasse führend. Der FOM-Wert ist bei MOSFETs, die in Schaltanwendungen eingesetzt werden, eine sehr wichtige Spezifikation.

Der neue MOSFET eignet sich Ideal für Schaltungen mit 12 V Betriebsspannung. Er wurde optimiert für Anwendungen wie: Netzadapter, Batterie- und Universal-Leistungsschalter; Verpolungsschutz; OR-Verknüpfung von Betriebsspannungen; und Motorsteuerungen in Telekom-Applikationen, Servern, Industrie-PCs und Robotern. Durch die höhere Leistungsdichte des SiRA99DP müssen in diesen Anwendungen weniger MOSFETs parallelgeschaltet werden, weil jeder einzelne Transistor mehr Leistung liefert; das spart Leiterplattenfläche. Im Gegensatz zu n-Kanal-MOSFETs benötigt der neue p-Kanal-Typ keine Ladungspumpe zur Erzeugung der positiven Gate-Spannung.

Der neue MOSFET wird 100% R_G- und UIS-getestet und ist RoHS-konform und halogenfrei.

Der SiRA99DP ist ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen lieferbar; die Lieferzeit ist von der aktuellen Marktsituation abhängig und beträgt etwa 12 Wochen.

PowerPAK und TrenchFET sind eingetragene Marken der Firma Siliconix Incorporated.