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Vishay推出采用PowerPAK® 1212‑8S封装的-30 V P沟道MOSFET, RDS(ON)达到业内最低水平，提高功率密度，节省便携式电子设备能源
器件占位面积10.89 mm2，RDS(ON)降至3.5 mW，FOM降至172 mW*nC，均为业内最佳水平
Products mentioned:
SiSS05DNMedia Contact - Bob Decker, Red Pines Group
Phone: 1.415.409.0233
Fax: 1.650.618.1512
E-mail: bob.decker@redpinesgroup.com
Sales Contact: http://www.vishay.com/
en/company/contacts/
宾夕法尼亚、MALVERN—2020年2月10日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc. （NYSE股市代号：VSH）推出新型 -30 V p沟道TrenchFET®第四代功率MOSFET，器件采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装，10 V条件下导通电阻达到业内最低的3.5 mΩ，同时，导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET在开关应用的重要优值系数（FOM）为172 mΩ*nC，达到同类产品最佳水平。节省空间的Vishay Siliconix SiSS05DN专门用来提高功率密度，占位面积比采用6mm x 5mm封装的相似导通电阻器件减小65 %。
日前发布的MOSFET导通电阻比上一代解决方案低26 %，比市场上排名第二的产品低35 %，而FOM比紧随其后的竞争器件低15 %。 这些业内最佳值降低了导通和开关损耗，从而节省能源并延长便携式电子设备的电池使用寿命，同时最大限度降低整个电源路径的压降，以防误触发。器件紧凑的外形便于安装在PCB面积有限的设计中。
行业标准面积尺寸的SiSS05DN可直接替代升级5 V至20 V输入电源应用中的现有器件。 该MOSFET适用于适配器和负载开关、反向极性保护、电池供电设备电机驱动控制、电池充电器、消费类电子、计算机、电信设备等。
器件经过100 % RG和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
SiSS05DN现可提供样品并已实现量产，供货周期为12周，视市场情况而定。
新闻联系人：
VISHAY
张艳（Chris Zhang）
地址：上海市淮海西路 55 号 申通信息广场 15 楼 D 座
电话：（8621）22315596
传真：（8621）22315551
Email：chris.zhang@vishay.com
Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一，这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户，Vishay承载着科技基因——The DNA of tech.® Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。
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PowerPAK和 TrenchFET是Siliconix公司注册商标。
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