Malvern, Pennsylvania (USA)– 14. Oktober 2020 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert eine neue, für Anwendungen in Haushaltsgeräten, Industrieanlagen, medizinischen Geräten und Telekomsystemen vorgesehene 40-V-n-Kanal-MOSFET-Halbbrücke, die sich durch erhöhte Leistungsdichte und Energieeffizienz auszeichnet. Durch die Integration der High- und Low-Side-MOSFETs in einem nur 3,3 mm x 3,3 mm großen PowerPAIR^®-Gehäuse bietet SiZ240DT von Vishay Siliconix beste On-Widerstands- und FOM-Werte dieser Klasse. "FOM" steht für "Figure of Merit" (Produkt aus On-Widerstand und Gate-Ladung) und ist eine wichtige Spezifikation für MOSFETs, die in Energiewandler-Anwendungen eingesetzt werden.

Die beiden TrenchFET-MOSFETs im SiZ240DT sind intern zu einer Halbbrückenschaltung verbunden. Der Kanal-1-MOSFET im SiZ240DT, der typischerweise als Steuerschalter in einem Synchron-Abwärtsregler dient, hat einen maximalen On-Widerstand von 8,05 mΩ bei 10 V bzw. 12,25 mΩ bei 4,5 V Gate-Spannung. Der Kanal-2-MOSFET, der typischerweise als Synchronschalter dient, hat einen On-Widerstand von 8,41 mΩ bei 10 V bzw. 13,30 mΩ bei
4,5 V Gate-Spannung. Diese Werte sind bis zu 16% geringer als bei den Wettbewerbsprodukten. In Verbindung mit den niedrigen Gate-Ladungen von nur 6,9 nC (Kanal 1) bzw. 6,5 nC (Kanal 2) ergibt sich ein FOM-Wert, der um 14% niedriger ist als beim vergleichbaren Produkt, das erhöht die Energieeffizienz in Hochfrequenz-Schaltanwendungen.

Die neuen Dual-MOSFETs sind 65% kleiner als vergleichbare Typen im 6 mm x 5 mm großen Gehäuse und zählen damit zu den kompaktesten integrierten Dual-MOSFETs am Markt. Das Bauteil bietet Entwicklern eine platzsparende Lösung für Anwendungen wie: Steuerung von Staubsaugermotoren, Drohnen, Elektrowerkzeugen, Heim-/Büroautomatisierung und nicht-implantierbare medizinische Geräte; außerdem Halbbrücken für Synchron-DC/DC-Abwärtsregler, drahtlose Ladegeräte und Schaltstromversorgungen in Telekomsystemen und Servern.

Der integrierte Dual-MOSFET enthält keine internen Drahtverbindungen, das minimiert die Parasitärinduktivität und ermöglicht dadurch hohe Schaltfrequenzen; dies wiederum erlaubt die Verwendung kleiner Induktivitäten und Transformatorenund ermöglicht somit kleinere Endprodukte. Das optimierte Q_gd/Q_gs-Verhältnis reduziert das Schaltrauschen und verbessert ganz allgemein das Schaltverhalten. Der SiZ240DT wird 100% Rg- und UIS-getestet und ist RoHS-konform und halogenfrei.

Der neue Dual-MOSFET ist ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen lieferbar; die Lieferzeit für große Bestellmengen beträgt zwölf Wochen.

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