ビシェイ社、TMBS®ダイオードを低背SMPパッケージで発表、電力密度と効率を向上

ビシェイ社、TMBS^®ダイオードを低背SMPパッケージで発表、電力密度と効率を向上

2 A、3 Aデバイス、45 V ～200 Vの耐圧、 0.36 Vの低い順方向電圧を提供

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Phone: 1.415.409.0233
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2020年1月22日：ビシェイ・インターテクノロジー社（米国ペンシルバニア州、NYSE: VSH 、日本法人：ビシェイジャパン株式会社、東京都渋谷区、代表取締役社長：小澤政治）は本日、表面実装型TMBS® Trench MOSバリア・ショットキーダイオードのeSMP® シリーズで16種の2 A、3 Aデバイスの新製品を低背の SMP (DO-220AA) パッケージで発表しました。デバイスは45 V ～ 200 Vの幅広い耐圧を特長とし、3 Aの定格電流はSMPパッケージのデバイスとしては業界最高クラスで、電力密度を向上します。

2 Aで0.36 V、3 Aで0.37 Vの低い順方向電圧降下を提供し、商用、産業機器向け高周波インバータ、DC/DCコンバータ、フライホイールダイオード、極性保護に最適で、電力損失を低減し効率を向上します。また、車載用途向けにAEC-Q101準拠バージョンでの提供も可能です。新デバイスは動作ジャンクション温度が最大＋175℃、J-STD-020の吸湿レベル（MSL）1を満たし、LFはピーク時＋260℃です。RoHSに準拠するハロゲンフリー品です。

デバイス仕様表

部品番号	I_F(AV)(A)	V_RRM(V)	I_FSM(A)	V_F at I_F and T_J			T_J max. (°C)
部品番号	I_F(AV)(A)	V_RRM(V)	I_FSM(A)	V_F (V)	I_F (A)	T_A (°C)	T_J max. (°C)
V2PL45L	2	45	50	0.36	2	125	150
V3PL45	3	45	80	0.37	3	125	150
V2P6X	2	60	50	0.51	2	125	175
V2P6L	2	60	50	0.45	2	125	150
V2PM6L	2	60	50	0.48	2	125	175
V3P6	3	60	60	0.48	3	125	150
V3P6L	3	60	80	0.44	3	125	150
V3PM6	3	60	80	0.47	3	125	175
V2PM10L	2	100	50	0.58	2	125	175
V3PM10	3	100	80	0.58	3	125	175
V2PM12L	2	120	50	0.6	2	125	175
V3PM12	3	120	80	0.61	3	125	175
V2PM15L	2	150	50	0.64	2	125	175
V3PM15	3	150	80	0.64	3	125	175
V2P22L	2	200	50	0.68	2	125	175
V3P22	3	200	60	0.7	3	125	175

サンプルおよび製品は既にご提供可能で、量産時の標準納期は8週間です。

ビシェイ・インターテクノロジー社は、世界最大のディスクリート半導体および受動電子部品ポートフォリオのメーカーです。同社の部品は、自動車、産業、コンピューティング、テレコミュニケーション、航空宇宙、医療における革新的なデザインに採用されています。The DNA of tech.™のビシェイ社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界各国のお客様を支援します。ビシェイ社のホームページは www.vishay.com。

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「TMBS」は、ビシェイ社の登録商標です。

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