ビシェイ社、TMBS®ダイオードを低背SMPパッケージで発表、電力密度と効率を向上

2 A3 Aデバイス、45 V 200 Vの耐圧、 0.36 Vの低い順方向電圧を提供

TMBSinSMP

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2020年1月22日:ビシェイ・インターテクノロジー社(米国ペンシルバニア州、NYSE: VSH 、日本法人:ビシェイジャパン株式会社、東京都渋谷区、代表取締役社長:小澤政治)は本日、表面実装型TMBS® Trench MOSバリア・ショットキーダイオードのeSMP® シリーズで16種の2 A、3 Aデバイスの新製品を低背の SMP (DO-220AA) パッケージで発表しました。デバイスは45 V ~ 200 Vの幅広い耐圧を特長とし、3 Aの定格電流はSMPパッケージのデバイスとしては業界最高クラスで、電力密度を向上します。

2 Aで0.36 V、3 Aで0.37 Vの低い順方向電圧降下を提供し、商用、産業機器向け高周波インバータ、DC/DCコンバータ、フライホイールダイオード、極性保護に最適で、電力損失を低減し効率を向上します。また、車載用途向けにAEC-Q101準拠バージョンでの提供も可能です。新デバイスは動作ジャンクション温度が最大+175℃、J-STD-020の吸湿レベル(MSL)1を満たし、LFはピーク時+260℃です。RoHSに準拠するハロゲンフリー品です。

デバイス仕様表

部品番号

IF(AV) (A)

VRRM (V)

IFSM (A)

VF at IF and TJ

TJ max. (°C)

VF (V)

IF (A)

TA (°C)

V2PL45L

2

45

50

0.36

2

125

150

V3PL45

3

45

80

0.37

3

125

150

V2P6X

2

60

50

0.51

2

125

175

V2P6L

2

60

50

0.45

2

125

150

V2PM6L

2

60

50

0.48

2

125

175

V3P6

3

60

60

0.48

3

125

150

V3P6L

3

60

80

0.44

3

125

150

V3PM6

3

60

80

0.47

3

125

175

V2PM10L

2

100

50

0.58

2

125

175

V3PM10

3

100

80

0.58

3

125

175

V2PM12L

2

120

50

0.6

2

125

175

V3PM12

3

120

80

0.61

3

125

175

V2PM15L

2

150

50

0.64

2

125

175

V3PM15

3

150

80

0.64

3

125

175

V2P22L

2

200

50

0.68

2

125

175

V3P22

3

200

60

0.7

3

125

175

サンプルおよび製品は既にご提供可能で、量産時の標準納期は8週間です。

ビシェイ・インターテクノロジー社は、世界最大のディスクリート半導体および受動電子部品ポートフォリオのメーカーです。同社の部品は、自動車、産業、コンピューティング、テレコミュニケーション、航空宇宙、医療における革新的なデザインに採用されています。The DNA of tech.™のビシェイ社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界各国のお客様を支援します。ビシェイ社のホームページは www.vishay.com

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「TMBS」は、ビシェイ社の登録商標です。

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