Malvern, Pennsylvania (USA) – 11. Januar 2021 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert einen neuen, AEC-Q101-qualifizierten –100 V-p-Kanal-TrenchFET^®-MOSFET, der mit dem Ziel entwickelt wurde, die Leistungsdichte und Energieeffizienz in Automobilanwendungen zu erhöhen. Der neue SQJ211ELP von Vishay Siliconix ist nicht nur das einzige Bauteil dieser Art im kompakten, nur 5 mm x 6 mm großen PowerPAK^®-SO-8L-Gehäuse mit Gullwing-Anschlüssen, sondern bietet darüber hinaus in seiner Klasse den niedrigsten On-Widerstand von nur 30 mΩ bei 10 V Gate-Spannung.

Im Vergleich zu den nächstbesten Bauteilen im DPAK- oder D²PAK-Gehäuse bieten der neue, AEC-qualifizierte MOSFET um 26% bzw. 46% kleinere On-Widerstände und eine um 50% bzw. 76% kleinere Grundfläche. Der sehr kleine On-Widerstand des SQJ211ELP führt zu geringeren Durchlassverlusten, und die außergewöhnlich geringe Gate-Ladung ab 45 nC bei 10 V verringt die Verluste bei der Gate-Ansteuerung.

Der für Betriebstemperaturen bis +175°C ausgelegte MOSFET bietet die in Automobilanwendungen wie Verpolungsschutz, Batteriemanagement, High-Side-Lastschalter und LED-Beleuchtung geforderte hohe Robustheit und Zuverlässigkeit. Die Gullwing-Anschlüsse des SQJ211ELP ermöglichen eine bessere automatisierte Sichtkontrolle (AOI) und minimieren mechanische Spannungen bei Temperaturänderungen, das erhöht die Zuverlässigkeit auf der Leiterplattenebene.

Die hohe Sperrspannung von –100 V bietet eine große Sicherheitsreserve beim Betrieb an üblichen Bordnetz-Spannungen von 12 V, 24 V und 48 V. Als p-Kanal-MOSFET vereinfacht der SQJ211ELP die Gate-Treiber-Schaltung, da die bei n-Kanal-Typen erforderliche Ladungspumpe entfällt. Der bleifreie, halogenfreie und RoHS-konforme MOSFET wird 100%-ig Rg- und UIS-getestet.

Der SQJ211ELP ist ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen mit einer Lieferzeit von
14 Wochen lieferbar.

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