Smarte 70/80/100-Ampere-VRPower®-Leistungsstufen von Vishay Intertechnology unterstützen Mikroprozessoren der neuesten Generation durch höhere Energieeffizienz
und Genauigkeit

Die für Infrastruktur-, Cloud-Computing- und Grafikkarten-Anwendungen vorgesehenen Bausteine im 5 mm x 6 mm großen PowerPAK®-Gehäuse bieten integrierte Strom- und Temperaturüberwachungsfunktionen

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Malvern, Pennsylvania (USA) – 15. März 2021 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert neun smarte 70/80/100-Ampere-VRPower®-Leistungsstufen mit integrierten Strom- und Temperaturüberwachungsfunktionen im thermisch optimierten, 5 mm x 6 mm großen PowerPAK®-MLP56-39-Gehäuse. Die smarten Leistungsstufen der Familie SiC8xx von Vishay Siliconix wurden dahingehend optimiert, die Energiekosten von Datenzentren, sonstigen Hochleistungscomputer- sowie 5G-Mobilfunkinfrastruktur-Anwendungen zu reduzieren und sie zeichnen sich durch hohe Energieeffizienz und hervor­ragende Strommessgenauigkeit aus.

Teilenummer

PWM-Pegel

Max.
Ausgangsstrom

Eingangsspannung

SiC822

5 V

70 A

4,5 V bis 16 V

SiC822A

3,3 V

SiC820

5 V

80 A

SiC820A

3,3 V

SiC840

5 V

100 A

SiC840A

3,3 V

SiC832

5 V

70 A

4,5 V bis 21 V

SiC832A

3,3 V

SiC830

5 V

80 A

SiC830A

3,3 V

Die neuen Leistungsstufen enthalten Leistungs-MOSFETs und ein hochentwickeltes Treiber-IC. Die hohe Energieeffizienz dieser Bausteine ist der führenden TrenchFET®-Gen-IV-Technologie zu verdanken, die neue Leistungsmaßstäbe setzt und sowohl die Schalt- als auch Durchlassverluste signifikant reduziert. Die smarten Leistungsstufen der Familie SiC8xx erzielen unter diversen Betriebsbedingungen Spitzenwirkungsgrade von mehr als 93%. Im Leichtlastbetrieb kann ein Dioden-Emulationsmodus aktiviert werden, dadurch wird über den gesamten Lastbereich eine hohe Energieeffizienz erreicht.

Während herkömmliche Lösungen, die den Ausgangsstrom über den ohmschen Widerstand (DCR) der Induktivität messen, eine Messunsicherheit von etwa 7% aufweisen, kommen die Leistungsstufen der Familie SiC8xx, die den Strom über den Low-Side-MOSFET messen, auf eine deutlich geringere Messunsicherheit von <3%. Das führt in Anwendungen mit leistungshungrigen Prozessoren und SoCs – beispielsweise von Intel Corporation, Advanced Micro Devices, Inc. und Nvidia Corporation – zu höherer Leistungsfähigkeit und besserem Temperaturmanagement. Die Bausteine wurden für Synchron-Abwärtsregler, Mehrphasen-VRDs für CUPs, GPUs und Speichersysteme sowie für DC/DC-VR-Module optimiert.

Die smarten Leistungsstufen der Familie SiC8xx decken einen weiten Eingangsspannungsbereich ab (4,5 V bis 21 V, siehe Tabelle) und erlauben Schaltfrequenzen bis 2 MHz. Sie verfügen über diverse Schutzfunktionen, darunter Kurzschluss- und Ãœberstrom-Alarm für den High-Side-MOSFET, Ãœbertemperaturschutz und Unterspannungsabschaltung (UVLO). Die Leistungsstufen der Familie SiC8xx unterstützen 3,3-V- und 5-V-PWM-Tri-State-Logik und sind dadurch mit zahlreichen PWM-Controllern-kompatibel.

Die smarten Leistungsstufen sind ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen mit einer Lieferzeit von 16 Wochen lieferbar.

Vishay bietet eines der weltweit größten Angebote an diskreten Halbleiterbauelementen und passiven elektronischen Bauteilen, die innovative Designs ermöglichen und in den unterschiedlichsten Märkten Verwendung finden – von Automobilindustrie über Computer, Consumer-Produkte und Telekommunikation bis hin zu Luft-/Raumfahrt-/Wehrtechnik und Medizintechnik. Mit seinem weltweiten Kundenstamm ist Vishay The DNA of tech.TM Vishay Intertechnology, Inc. zählt zu den Fortune-1000-Unternehmen und ist an der New Yorker Börse (NYSE) unter dem Tickersymbol VSH notiert. Weitere Informationen über Vishay finden Sie unter www.vishay.com.

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The DNA of tech™ ist eine Marke der Firma Vishay Intertechnology. VRPower, PowerPAK und TrenchFET sind eingetragene Marken der Firma Siliconix Incorporated. Alle anderen hier erwähnten Marken sind Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber.

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