Leistungsbester 30-V-n-Kanal-MOSFET von Vishay Intertechnology bietet hohe Leistungsdichte und Energieeffizienz bei isolierten und nicht isolierten Topologien

Der neue MOSFET im PowerPAK®-1212-8S-Gehäuse bietet hervorragende RDS(ON)-Werte ab 0,95 mΩ und eine verbesserte FOM-Spezifikation von 29,8 mΩnC

SiSS52DN

Products mentioned:

SiSS52DN
For more information:
Media Contact - Bob Decker, Red Pines Group
Phone: 1.415.409.0233
Fax: 1.650.618.1512
E-mail: bob.decker@redpinesgroup.com

Sales Contact: http://www.vishay.com/
en/company/contacts/

This release in:

Malvern, Pennsylvania (USA) – 24. Mai 2021 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert einen neuen, vielseitig einsetzbaren 30-V-n-Kanal-TrenchFET®-Gen-V-Leistungs-MOSFET, der im Vergleich zu vorherigen Produkten eine höhere Leistungsdichte und Energieeffizienz bietet- sowohl in galvanisch getrennten als auch nicht-isolierten Topologien. Der neue SiSS52DN von Vishay Siliconix im thermisch optimierten, 3,3 mm x 3,3 mm großen PowerPAK®-1212-8S-Gehäuse bietet unter allen vergleichbaren Bauteilen den niedrigsten On-Widerstand von nur 0,95 mΩ bei 10 V Gate-Spannung – das bedeutet eine Verbesserung um 5% im Vergleich zum Vorgängerprodukt. Schon bei 4,5 V Gate-Spannung beträgt der On-Widerstand nur 1,5 mΩ und das Produkt aus On-Widerstand und Gate-Ladung (FOM) nur 29,8 mΩ • nC – hinsichtlich der für Schaltanwendungen kritischen FOM-Spezifikation ist der SiSS52DN einer der besten MOSFETs am Markt.

Die FOM-Spezifikation des SiSS52DN bedeutet eine Verbesserung um 29% gegenüber Vorgängerprodukten und führt zu entsprechend geringeren Schalt- und Durchlassverlusten, dadurch steigt der Wirkungsgrad von Spannungswandlern.

Der SiSS52DN eignet sich ideal für die Verwendung als Low-Side-Schalter in Anwendungen wie Synchrongleichrichter, Synchron-Abwärtsregler, DC/DC-Wandler, Switch-Tank-Topologien, OR-Verknüpfung von FETs und Lastschalter in Stromversorgungen von Servern, Telekom-Ausrüstung und HF-Systemen. Der neue MOSFET bietet sowohl in galvanisch getrennten als auch nicht-isolierten Anwendungen eine hervorragende Performance und vereinfacht die Bauteilauswahl für Entwickler, die mit beiden Topologien arbeiten.

Das Bauteil ist 100% RG- und UIS-getestet und ist RoHS-konform und halogenfrei.

Der SiSS52DN ist ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen mit einer Lieferzeit von zwölf Wochen lieferbar.

Vishay bietet eines der weltweit größten Angebote an diskreten Halbleiterbauelementen und passiven elektronischen Bauteilen, die innovative Designs ermöglichen und in den unterschiedlichsten Märkten Verwendung finden – von Automobilindustrie über Computer, Consumer-Produkte und Telekommunikation bis hin zu Luft-/Raumfahrt-/Wehrtechnik und Medizintechnik. Mit seinem weltweiten Kundenstamm ist Vishay The DNA of tech.TM Vishay Intertechnology, Inc. zählt zu den Fortune-1000-Unternehmen und ist an der New Yorker Börse (NYSE) unter dem Tickersymbol VSH notiert. Weitere Informationen über Vishay finden Sie unter www.vishay.com.

twitter http://twitter.com/vishayindust
facebook http://www.facebook.com/VishayIntertechnology

###

The DNA of tech™ ist eine Marke der Firma Vishay Intertechnology.  PowerPAK und TrenchFET sind eingetragene Marken der Firma Siliconix Incorporated

For more information:
Media Contact - Bob Decker, Red Pines Group
Phone: 1.415.409.0233
Fax: 1.650.618.1512
E-mail: bob.decker@redpinesgroup.com

Sales Contact: http://www.vishay.com/
en/company/contacts/

This release in: