Neue 60-V- und 80-V-n-Kanal-MOSFETs im PowerPAK®-8x8L-Gehäuse bieten klassenbeste RDS(ON)-Werte ab 0,65 mΩ
Kompakte Bauteile in bonddrahtlosem Design mit Gullwing-Anschlüssen für erhöhte Zuverlässigkeit auf der Leiterplattenebene
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Malvern, Pennsylvania (USA) – 31. Januar 2022 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert zwei neue n-Kanal-TrenchFET®-MOSFETs, die höhere Leistungsdichten, höhere Energieeffizienz und höhere Zuverlässigkeit in Telekom- und Industrieanwendungen ermöglichen. Durch das Minimieren des On-Widerstand, das Erweitern des Betriebstemperaturbereiches bis +175°C und das Maximieren der Dauerstrombelastbarkeit ist es gelungen diese Entwicklungsziele für die MOSFETs SiJH600E (60 V) und SiJH800E (80 V) zu realisieren. Das platzsparende PowerPAK®-8x8L-Gehäuse, das bonddrahtlose Design und die stressmindernden Gullwing-Anschlüsse führen zu höherer Zuverlässigkeit auf der Leiterplattenebene (verbesserte „Board Level Reliability“).
Die extrem kleinen On-Widerstandswerte der MOSFETs SiJH600E und SiJH800E – 0,65 mΩ bzw. 1,22 mΩ (typ.) bei 10 V Gate-Spannung – sind um 54% bzw. 52% geringer als bei Bauteilen der gleichen Generation im PowerPAK-SO-8-Gehäuse. Das führt zu deutlich geringeren Durchlassverlusten und besserer Energieeffizienz.
Das im Vergleich zum D2PAK-Gehäuse um 60% kleinere und um 57% flachere Gehäuse der für Dauerströme bis 373 A bzw. 288 A ausgelegten MOSFETs SiJH600E und SiJH800E ermöglicht signifikant höhere Leistungsdichten. Die neuen MOSFETs können zwei parallelgeschaltete MOSFETs im PowerPAK-SO-8-Gehäuse ersetzen und sparen dadurch Leiterplattenfläche.
Die wichtigsten Spezifikationen:
|
Teilenummer |
VDS (V) |
ID (A) |
RDS(ON) @ 10 V (mΩ) |
Rthjc (°C/W) |
|
SiJH600E |
60 |
373 |
0.65 |
0.36 |
|
SiJH800E |
80 |
299 |
1.22 |
0.36 |
Die neuen, für Betriebstemperaturen bis +175°C ausgelegten MOSFETs von Vishay Siliconix zeichnen sich durch Robustheit und hohe Zuverlässigkeit aus; sie sind dadurch ideale Lösungen für Anwendungen wie Synchrongleichrichter in Stromversorgungen, Motorsteuerungen, Batteriemanagement und Elektrowerkzeuge. Die bleifreien, halogenfreien und RoHS-konformen Bauteile werden 100%-ig Rg- und UIS-getestet.
Gehäusebauformen im Vergleich:
|
Gehäuse |
Länge (mm) |
Breite (mm) |
Bauhöhe (mm) |
Abmessungen (LxB mm2) |
|
PowerPAK 8x8L |
8.0 |
7.9 |
1.8 |
63.2 |
|
D2PAK (TO-263) |
15.2 |
10 |
4.4 |
152 |
Die MOSFETs SiJH600E und SiJH800E sind ab sofort lieferbar. Lieferzeiten und verfügbare Stückzahlen bitte bei Vishay oder deren Distributoren anfragen.
Vishay bietet eines der weltweit größten Angebote an diskreten Halbleiterbauelementen und passiven elektronischen Bauteilen, die innovative Designs ermöglichen und in den unterschiedlichsten Märkten Verwendung finden – von Automobilindustrie über Computer, Consumer-Produkte und Telekommunikation bis hin zu Luft-/Raumfahrt-/Wehrtechnik und Medizintechnik. Mit seinem weltweiten Kundenstamm ist Vishay The DNA of tech.® Vishay Intertechnology, Inc. zählt zu den Fortune-1000-Unternehmen und ist an der New Yorker Börse (NYSE) unter dem Tickersymbol VSH notiert. Weitere Informationen über Vishay finden Sie unter www.vishay.com.
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The DNA of tech™ ist eine Marke der Firma Vishay Intertechnology. TrenchFET und PowerPAK sind eingetragene Marken der Firma Siliconix Incorporated.
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