Vishay推出PowerPAK® 8x8L封装60 V和80 V N沟道MOSFET，优异的RDS(ON) 导通电阻低至0.65 mΩ
小型器件采用无引线键合鸥翼引线结构，提高板级可靠性
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宾夕法尼亚、MALVERN — 2022年1月31日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款n沟道TrenchFET® MOSFET，以提高通信和工业应用功率密度、能效和板级可靠性。为实现设计目标，60 V SiJH600E和80 V SiJH800E具有超低导通电阻，工作温度可达+175 °C以及高连续漏极电流。节省空间的PowerPAK® 8x8L封装采用无引线键合鸥翼引线结构消除机械应力，有助于提高板级可靠性。
SiJH600E和SiJH800E超低导通电阻—10 V下典型值分别为0.65 mW和1.22 mW—比同代PowerPAK SO-8封装器件分别降低54 %和52 %，从而减小了传导功耗，实现节能的效果。
为提高功率密度，SiJH600E和SiJH800E连续漏极电流分别为373 A和288 A，封装占位面积比D2PAK封装减小60 %，高度降低57 %。为节省电路板空间，每款MOSFET还可以用来取代两个并联的PowerPAK SO-8器件。
器件规格表:
|
产品型号 |
VDS (V) |
ID (A) |
RDS(ON) @ 10 V (mΩ) |
Rthjc (°C/W) |
|
SiJH600E |
60 |
373 |
0.65 |
0.36 |
|
SiJH800E |
80 |
299 |
1.22 |
0.36 |
该Vishay Siliconix器件工作温度可达+175 °C，性能稳定可靠，适用于电源、电机驱动控制、电池管理和电动工具等应用同步整流。器件采用无铅 (Pb) 封装、无卤素、符合RoHS标准，经过100 % Rg和UIS测试。
封装对比表:
|
封装 |
长 (mm) |
宽 (mm) |
高 (mm) |
尺寸 (长x宽mm2) |
|
PowerPAK 8x8L |
8.0 |
7.9 |
1.8 |
63.2 |
|
D2PAK (TO-263) |
15.2 |
10 |
4.4 |
152 |
Samples of the SiJH600E and SiJH800E are available now. Information on production lead times and quantities is available from Vishay or our distribution partners.
Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一，这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户，Vishay承载着科技基因——The DNA of tech.® Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。
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The DNA of tech.™是Vishay Intertechnology的商标。TrenchFET和PowerPAK是Siliconix公司的注册商标。
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