600 V Power-MOSFET der E Serie mit von Vishay Intertechnology im flachen PowerPAK® 8 x 8LR-Gehäuse bietet branchenweit niedrigste FOM RDS(ON)*Qg
Bauelement der vierten Generation ermöglicht hohe Nennleistungen und Leistungsdichten gegenüber D2PAK bei gleichzeitiger Reduzierung der Leitungs- und Schaltverluste zur Verbesserung des Wirkungsgrads

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Malvern, Pennsylvania (USA) — 01. Mai 2024 — Um höhere Wirkungsgrade und Leistungsdichten für Telekommunikations-, Industrie- und Computeranwendungen zu erreichen, hat Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) heute seinen ersten 600-V-MOSFET der vierten Generation der E-Serie im neuen PowerPAK® (8 x 8LR)-Gehäuse vorgestellt. Gegenüber der vorherigen Generation senkt der n-Kanal-MOSFET SiHR080N60E von Vishay Siliconix den On-Widerstand um 27 % und das Produkt aus On-Widerstand mal Gate-Ladung – eine wichtige Kennzahl (FOM) für 600 V MOSFETs, die in Stromwandlungsanwendungen eingesetzt werden, um 60 %, und liefert dabei gleichzeitig einen höheren Strom bei kleinerer Grundfläche als Bauelemente im D2PAK-Gehäuse.
Vishay bietet eine breite Palette von MOSFET-Technologien an, die alle Stufen des Stromwandlungsprozesses unterstützen, von den Hochspannungseingängen bis zu den Niederspannungsausgängen, die für die Versorgung der neuesten Hightech-Geräte erforderlich sind. Mit dem SiHR080N60E und anderen Bauelementen der vierten Generation der 600-V-E-Serie reagiert das Unternehmen auf den Bedarf an Verbesserungen des Wirkungsgrads und der Leistungsdichte in zwei der ersten Stufen der Stromversorgungsarchitektur – der brückenlosen Totem-Pole-Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und den nachgeschalteten DC/DC-Wandlerblöcken. Zu den typischen Anwendungen gehören Server, Edge Computing, Supercomputer und Datenspeicher, USV, Hochdruckentladungslampen (HID) und Leuchtstofflampen, Solarwechselrichter, Schweißgeräte, Induktionsheizungen, Motorantriebe und Batterieladegeräte.
Das kompakte PowerPAK 8 x 8LR-Gehäuse des SiHR080N60E mit den Abmessungen 10,42 mm x 8 mm x 1,65 mm hat eine um 50,8 % kleinere Grundfläche und eine um 66 % geringere Höhe als das D2PAK-Gehäuse. Dank der Kühlung über die Oberseite weist das Gehäuse eine ausgezeichnetes thermisches Verhalten mit einem extrem niedrigen Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse (Drain) von 0,25 °C/W auf. Dies ermöglicht einen um 46 % höheren Strom als beim D2PAK-Gehäuse bei gleichem Durchlasswiderstand und damit eine deutlich höhere Leistungsdichte. Darüber hinaus bieten die Gullwing-Anschlüsse des Gehäuses eine hervorragende Beständigkeit gegenüber Temperaturwechseln.
Der SiHR080N60E basiert auf Vishays neuester energieeffizienter Superjunction-Technologie der E-Serie und zeichnet sich durch einen niedrigen typischen On-Widerstand von 0,074 Ω bei 10 V und einer extrem niedrigen Gate-Ladung von nur 42 nC aus. Die daraus resultierende FOM liegt bei branchenweit niedrigen 3,1 Ω*nC, was sich in reduzierten Leitungs- und Schaltverlusten niederschlägt, um Energie zu sparen und den Wirkungsgrad in Stromversorgungssystemen > 2 kW zu erhöhen. Zur Verbesserung der Schaltleistung in hartgeschalteten Topologien wie PFC-, Halbbrücken- und Vorwärtsschaltdesigns mit zwei Schaltern bietet der heute vorgestellte MOSFET niedrige typische effektive Ausgangskapazitäten Co(er) und Co(tr) von 79 pF bzw. 499 pF. Das Gehäuse verfügt außerdem über einen Kelvin-Anschluss für eine verbesserte Schalteffizienz.
Der Baustein ist RoHS-konform, halogenfrei und Vishay Green und wurde entwickelt, um Überspannungstransienten im Avalanche-Modus mit garantierten Grenzwerten gemäß 100 % UIS-Tests standzuhalten.
Muster und Produktionsstückzahlen des SiHR080N60E sind ab sofort erhältlich. Für Informationen zu Lieferzeiten wenden Sie sich bitte an Ihr örtliches Verkaufsbüro.
Vishay bietet eines der weltweit größten Angebote an diskreten Halbleiterbauelementen und passiven elektronischen Bauteilen, die innovative Designs ermöglichen und in den unterschiedlichsten Märkten Verwendung finden – von Automobilindustrie über Computer, Consumer-Produkte und Telekommunikation bis hin zu Luft-/Raumfahrt-/Wehrtechnik und Medizintechnik. Mit seinem weltweiten Kundenstamm ist Vishay The DNA of tech.® Vishay Intertechnology, Inc. zählt zu den Fortune-1000-Unternehmen und ist an der New Yorker Börse (NYSE) unter dem Tickersymbol VSH notiert. Weitere Informationen über Vishay finden Sie unter www.vishay.com.
https://www.facebook.com/VishayIntertechnology
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