150-V-MOSFET von Vishay Intertechnology steigert den Wirkungsgrad mit branchenweit niedrigstem RDS(ON) von 5,6 <mÙ und RDS(ON)*Qg von 336 mÙ*nC

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Malvern, Pennsylvania (USA) – 20. November 2024 – Um höhere Wirkungsgrade und Leistungsdichten für Telekommunikations-, Industrie- und Computeranwendungen zu erreichen, hat Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) heute einen neuen 150-V-TrenchFET®-n-Kanal-Leistungs-MOSFET der Generation V im PowerPAK®-SO-8S-Gehäuse (QFN 6x5) vorgestellt. Gegenüber den Bauelementen der vorherigen Generation im PowerPAK SO-8-Gehäuse verringert der SiRS5700DP on Vishay Siliconix SiRS5700DP den Gesamt-On-Widerstand um 68,3 % und das Produkt aus On-Widerstand mal Gate-Ladung – eine wichtige Kennzahl (FOM) für MOSFETs, die in Spannungswandlern eingesetzt werden – um 15,4 %, wobei er einen um 62,5 % niedrigeren RthJC und einen um 179 % höheren Dauer-Drainstrom bietet.
Mit dem branchenweit niedrigsten On-Widerstand von 5,6 Ùm bei 10 V und einem Produkt aus On-Widerstand mal Gate-Ladung (FOM) von 336 mÙ*nC minimiert das heute vorgestellte Bauelement leitungsgebundene Leistungsverluste. Dies ermöglicht es Designern, den Wirkungsgrad zu steigern, um die Anforderungen der nächsten Generation von Stromversorgungen zu erfüllen, wie beispielsweise 6-kW-AI-Server-Stromversorgungen. Darüber hinaus ermöglicht der extrem niedrige RthJC-Wert von 0,45 °C/W des PowerPAK SO-8S-Gehäuses einen kontinuierlichen Entladestrom von bis zu 144 A, um die Leistungsdichte zu erhöhen, und bietet gleichzeitig eine robuste SOA-Fähigkeit.
Der SiRS5700DP eignet sich ideal für Synchrongleichrichtung, DC/DC-Wandler, Hot-Swap-Schaltung und OR-ing-Funktionen. Zu den typischen Anwendungen gehören Server, Edge-Computing, Supercomputer und Datenspeicher, Telekommunikationsnetzteile, Solarwechselrichter, Motorantriebe und Elektrowerkzeuge sowie Batteriemanagementsysteme. Der MOSFET ist RoHS-konform und halogenfrei, zu 100 % Rg- und UIS-getestet und erfüllt die IPC-9701-Kriterien für eine zuverlässigere Temperaturwechselbeständigkeit. Die Standard-Grundfläche des Bauelements von 6 mm x 5 mm ist vollständig mit dem PowerPAK SO-8-Gehäuse kompatibel.
Muster und Produktionsstückzahlen des SiRS5700DP sind ab sofort erhältlich. Für Informationen zu Lieferzeiten wenden Sie sich bitte an Ihr örtliches Verkaufsbüro.
Vishay bietet eines der weltweit größten Angebote an diskreten Halbleiterbauelementen und passiven elektronischen Bauteilen, die innovative Designs ermöglichen und in den unterschiedlichsten Märkten Verwendung finden – von Automobilindustrie über Computer, Consumer-Produkte und Telekommunikation bis hin zu Luft-/Raumfahrt-/Wehrtechnik und Medizintechnik. Mit seinem weltweiten Kundenstamm ist Vishay The DNA of tech.® Vishay Intertechnology, Inc. zählt zu den Fortune-1000-Unternehmen und ist an der New Yorker Börse (NYSE) unter dem Tickersymbol VSH notiert. Weitere Informationen über Vishay finden Sie unter www.vishay.com.
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