MALVERN, Pa. — 14. Februar 2024 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) hat heute einen vielseitigen neuen 30 V n-Kanal TrenchFET^® Gen V Leistungs-MOSFET vorgestellt, der eine höhere Leistungsdichte und eine verbesserte thermische Leistung für Industrie-, Computer-, Consumer- und Telekommunikationsanwendungen bietet. Der SiSD5300DN von Vishay Siliconix mit Source-Flip-Technologie im 3,3 mm x 3,3 mm PowerPAK^® 1212-F-Gehäuse bietet branchenbesten On-Widerstand von 0.71 mΩ bei 10 V sowie einer „Figure of Merit“ (FOM) aus On-Widerstand mal Gate-Ladung – einer kritischen Gütezahl für MOSFETs in Schaltanwendungen – von nur 42 mΩ*nC.

Bei gleicher Grundfläche wie der PowerPAK 1212-8S bietet der heute vorgestellte Baustein einen um 18 % geringeren On-Widerstand zur Erhöhung der Leistungsdichte, während die Source-Flip-Technologie den Wärmewiderstand von 63 °C/W auf 56 °C/W reduziert. Darüber hinaus stellt die Figure of Merit des SiSD5300DN eine Verbesserung um 35 % im Vergleich zu Bauteilen der vorherigen Generation dar, was sich in geringeren Leitungs- und Schaltverlusten niederschlägt und somit Energie in Stromwandleranwendungen spart.

Die PowerPAK1212-F-Source-Flip-Technologie kehrt die üblichen Proportionen der Masse- und Source-Pads um, vergrößert also die Fläche des Masse-Pads, um einen effizienteren Wärmeableitungspfad zu schaffen und so einen kühleren Betrieb zu ermöglichen. Gleichzeitig wird beim PowerPAK 1212-F die Größe des Schaltbereichs minimiert, was dazu beiträgt, die Auswirkungen von Leiterbahnrauschen zu verringern. Insbesondere erhöht sich beim PowerPAK 1212-F-Gehäuse die Größe des Source-Pads um den Faktor 10, von 0,36 mm² auf 4,13 mm², was eine entsprechende Verbesserung der thermischen Leistung ermöglicht.  Das Center-Gate-Design des PowerPAK1212-F vereinfacht zudem die Parallelisierung von mehreren Bausteinen auf einer einlagigen Leiterplatte.

Das Source-Flip-PowerPAK1212-F-Gehäuse des SiSD5300DN eignet sich besonders für Anwendungen wie Sekundärgleichrichtung, aktive Clamp-Batteriemanagementsysteme (BMS), Abwärts- und BLDC-Wandler, OR-ing-FETs, Motorantriebe und Lastschalter. Typische Endprodukte sind Schweißgeräte und Elektrowerkzeuge, Server, Edge-Geräte, Supercomputer und Tablets, Rasenmäher und Reinigungsroboter sowie Funkbasisstationen.

Das Bauelement ist zu 100 % R_G- und UIS-geprüft, RoHS-konform und halogenfrei.

Spezifikationstabelle:

Muster und Produktionsstückzahlen des SiSD5300DN sind ab sofort mit einer Lieferzeit von 26 Wochen erhältlich.

The DNA of tech^® ist eine eingetragene Marke von Vishay Intertechnology. TrenchFET und PowerPAK sind eingetragene Warenzeichen von Siliconix incorporated.