Malvern, Pennsylvania (USA) – 17. Juli 2024 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) erweitert sein Optoelektronik-Portfolio mit der Einführung einer neuen 890-nm-Hochgeschwindigkeits-Infrarot (IR)-Emitter-Diode in einem klaren, ungetönten, bedrahteten Kunststoffgehäuse. Die auf Oberflächenemitter-Technologie basierende TSHF5211 von Vishay Semiconductors zeichnet sich durch einen hervorragenden Temperaturkoeffizienten der Durchlassspannung von -1,0 mV/K, eine höhere Strahlungsintensität und schnellere Anstiegs- und Abfallzeiten als die Bauelemente der vorherigen Generation aus.

Die heute vorgestellte Emitterdiode bietet eine hohe typische Strahlungsintensität von 235 mW/sr bei einem Ansteuerungsstrom von 100 mA, was eine Erhöhung von  50 % gegenüber Lösungen der vorherigen Generation bedeutet. Mit schnellen Schaltzeiten von 15 ns, einer niedrigen typischen Durchlassspannung von 1,5 V und einem engen Halbwertswinkel von ± 10° eignet sich die Diode als Hochintensitätsemitter für Rauchmelder, und Industriesensoren. In diesen Anwendungen bietet der TSHF5211 eine gute spektrale Abstimmung mit Silizium-Photodetektoren.

Die Diode ist RoHS-konform, halogenfrei, bleifrei und Vishay Green und unterstützt bleifreies Löten bis 260 °C.

Muster und Produktionsstückzahlen des TSHF5211 sind ab sofort mit einer Lieferzeit von 20 Wochen für größere Bestellungen erhältlich.

The DNA of tech^® ist eine eingetragene Marke von Vishay Intertechnology.