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News » 2024 Releases » Neue 650-V-SiC-Schottky-Dioden der Generation 3 von Vishay Intertechnolog ...

Neue 650-V-SiC-Schottky-Dioden der Generation 3 von Vishay Intertechnology verbessern Wirkungsgrad und Zuverlässigkeit von Schaltnetzteilen

Bauelemente im MPS-Design mit 5 A bis 40 A bieten geringere Vorwärtspannung, geringere kapazitive Ladung und geringeren Sperrstrom

VS-3C05ET12T-M3_et_al

Products mentioned:

VS-3C05ET12T-M3
VS-3C10ET12T-M3
VS-3C15ET12T-M3
VS-3C20ET12T-M3
VS-3C05ET12S2L-M3
VS-3C10ET12S2L-M3
VS-3C15ET12S2L-M3
VS-3C20ET12S2L-M3
VS-3C10EP12L-M3
VS-3C15EP12L-M3
VS-3C20EP12L-M3
VS-3C30EP12L-M3
VS-3C10CP12L-M3
VS-3C20CP12L-M3
VS-3C30CP12L-M3
VS-3C40CP12L-M3
For more information:
Media Contact - Bob Decker, Redpines
Phone: 1.415.409.0233
E-mail: bob.decker@redpinesgroup.com

Sales Contact: http://www.vishay.com/
en/company/contacts/

This release in:

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  • Deutsch

Malvern, Pennsylvania (USA) – 26. Juni 2024 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH hat heute 16 neue 1200-V-Siliziumkarbid (SiC)-Schottky-Dioden der Generation 3 vorgestellt. Die neuen Bauelemente von Vishay Semiconductors zeichnen sich durch ein Merged-PIN-Schottky (MPS)-Design aus und kombinieren hohe Stoßstromfestigkeit mit niedriger Vorwärtsspannung, kapazitiver Ladung und niedrigem Sperrstrom, um die Effizienz und Zuverlässigkeit in Schaltnetzteil-Designs zu erhöhen.

Die heute vorgestellten SiC-Dioden der nächsten Generation bestehen aus Bauelementen mit 5 A bis 40 A in den Gehäuse TO-220AC 2L, TO-220AC 2L und TO-247AD 3L für die Durchsteckmontage sowie D2PAK 2L (TO-263AB 2L) für die Oberflächenmontage. Die Dioden bieten eine niedrige kapazitive Ladung von bis zu 28 nC, während ihre MPS-Struktur – mit einer durch Laserhärtung ausgedünnten Rückseite – einen reduzierten Vorwärtsspannungsabfall von 1,35 V liefert. Darüber hinaus reduziert der geringe typische Sperrstrom der Bauelemente von bis hinunter zu 2,5 µA bei 25 °C die Leitungsverluste und sorgt für einen hohen Systemwirkungsgrad bei geringer Last und im Leerlauf. Im Gegensatz zu ultraschnellen Dioden haben die Bauelemente der Generation 3 praktisch keine Erholungsphase, was die Effizienz noch weiter verbessert.

Typische Anwendungen für die Bauelemente sind AC/DC-PFC und DC/DC-Ultrahochfrequenz-Ausgangsgleichrichtung in FBPS- und LLC-Wandlern für Energieerzeugungs- und Explorationsanwendungen, Industrieantriebe und -werkzeuge sowie Rechenzentren. Für die rauen Umgebungen dieser Anwendungen kombinieren die Bauelemente Betriebstemperaturen bis +175 ³C mit Durchlasswerten bis 260 A für hohe Robustheit. Darüber hinaus verfügen die Dioden im D2PAK 2L-Gehäuse über eine Vergussmasse mit einem hohen CTI ≥ 600, die eine hervorragende elektrische Isolation bei hohen Spannungen gewährleistet.

Die RoHS-konformen und halogenfreien Dioden bieten eine hohe Zuverlässigkeit und haben einen HTRB-Test (Higher Temperature Reverse Bias) von 2000 Stunden sowie einen Temperaturwechseltest von 2000 thermischen Zyklen bestanden.

Spezifikationstabelle:

Bauteil-Nr.

IF(AV) (A)

IFSM (A)

VF bei IF (V)

QC (nC)

Konfiguration

Gehäuse

VS-3C05ET12T-M3

5

42

1,35

28

Single

TO-220AC 2L

VS-3C10ET12T-M3

10

84

1,35

55

Single

TO-220AC 2L

VS-3C15ET12T-M3

15

110

1,35

81

Single

TO-220AC 2L

VS-3C20ET12T-M3

20

180

1,35

107

Single

TO-220AC 2L

VS-3C05ET12S2L-M3

5

42

1,35

28

Single

D2PAK 2L

VS-3C10ET12S2L-M3

10

84

1,35

55

Single

D2PAK 2L

VS-3C15ET12S2L-M3

15

110

1,35

81

Single

D2PAK 2L

VS-3C20ET12S2L-M3

20

180

1,35

107

Single

D2PAK 2L

VS-3C10EP12L-M3

10

84

1,35

55

Single

TO-247AD 2L

VS-3C15EP12L-M3

15

110

1,35

81

Single

TO-247AD 2L

VS-3C20EP12L-M3

20

180

1,35

107

Single

TO-247AD 2L

VS-3C30EP12L-M3

30

260

1,35

182

Single

TO-247AD 2L

VS-3C10CP12L-M3

2 x 5

42

1,35

28

Gemeinsame Kathode

TO-247AD 3L

VS-3C20CP12L-M3

2 x 10

84

1,35

55

Gemeinsame Kathode

TO-247AD 3L

VS-3C30CP12L-M3

2 x 15

110

1,35

81

Gemeinsame Kathode

TO-247AD 3L

VS-3C40CP12L-M3

2 x 20

180

1,35

107

Gemeinsame Kathode

TO-247AD 3L

Muster und Produktionsstückzahlen der neuen SiC-Dioden sind ab sofort mit einer Lieferzeit von 13 Wochen erhältlich.

Vishay bietet eines der weltweit größten Angebote an diskreten Halbleiterbauelementen und passiven elektronischen Bauteilen, die innovative Designs ermöglichen und in den unterschiedlichsten Märkten Verwendung finden – von Automobilindustrie über Computer, Consumer-Produkte und Telekommunikation bis hin zu Luft-/Raumfahrt-/Wehrtechnik und Medizintechnik. Mit seinem weltweiten Kundenstamm ist Vishay The DNA of tech.®  Vishay Intertechnology, Inc. zählt zu den Fortune-1000-Unternehmen und ist an der New Yorker Börse (NYSE) unter dem Tickersymbol VSH notiert. Weitere Informationen über Vishay finden Sie unter www.vishay.com.

facebook https://www.facebook.com/VishayIntertechnology

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The DNA of tech® ist ein eine Marke von Vishay Intertechnology.

For more information:
Media Contact - Bob Decker, Redpines
Phone: 1.415.409.0233
E-mail: bob.decker@redpinesgroup.com

Sales Contact: http://www.vishay.com/
en/company/contacts/

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