Malvern, Pennsylvania (USA) – 9. Juli 2025 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) hat heute drei neue Gen 3-Siliziumkardid (SiC) Schottky-Dioden mit 650 V und 1200 V im kompakten, flachen SlimSMA HV (DO-221AC)-Gehäuse vorgestellt. Mit einem Merged PIN Schottky (MPS)-Design und einer Mindestkriechstrecke von 3,2 mm vereinen die 1-A-Diode VS-3C01EJ12-M3 und die 2-A-Dioden VS-3C02EJ07-M3 and VS-3C02EJ12-M3 eine geringe kapazitive Ladung mit einem temperaturunabhängigen Schaltverhalten, um den Wirkungsgrad in schnellen, hart schaltenden Stromversorgungsdesigns zu erhöhen.

Für Hochspannungsanwendungen bieten die heute vorgestellten Bauelemente von Vishay Semiconductors dank ihrer großen Kriechstrecke eine verbesserte elektrische Isolation, während ihr SlimSMA HV-Gehäuse aufgrund der Formmasse mit hohem CTI-Wert ³ 600 eine hervorragende elektrische Isolation gewährleistet. Für Designs mit begrenztem Platzangebot bieten die Dioden eine geringe Bauhöhe von 0,95 mm gegenüber 2,3 mm bei konkurrierenden SMA- und SMB-Gehäusen mit ähnlicher Grundfläche.

Im Gegensatz zu Siliziumdioden behalten die VS-3C01EJ12-M3, VS-3C02EJ07-M3 und VS-3C02EJ12-M3 unabhängig von der Temperatur eine niedrige kapazitive Ladung von bis zu 7,2 nC bei, was zu schnelleren Schaltgeschwindigkeiten, geringeren Leistungsverlusten und einem verbesserten Wirkungsgrad für Hochfrequenzanwendungen führt. Darüber hinaus weisen die Bauelemente praktisch keine Erholungsphase auf, was den Wirkungsgrad weiter verbessert, während ihre MPS-Struktur einen reduzierten Durchlassspannungsabfall von nur 1,30 V ermöglicht.

Mit einer hohen Betriebstemperatur von +175 °C umfassen typische Anwendungen für die Dioden VS-3C01EJ12-M3, VS-3C02EJ07-M3 und VS-3C02EJ12-M3 beispielsweise Bootstrap-, Anti-Parallel- und PFC-Dioden für DC/DC- und AC/DC-Wandler in Server-Stromversorgungen, Energieerzeugungs- und -speichersystemen, industriellen Antrieben und Werkzeugen sowie Röntgengeneratoren. Zur einfachen Parallelisierung in diesen Anwendungen haben die Bauelemente einen positiven Temperaturkoeffizienten.

Die RoHS-konformen und halogenfreien Dioden haben ein Moisture Sensitivity Level von 1 gemäß J-STD-020 und erfüllen den Whisker-Test gemäß JESD 201 Klasse 2.

Spezifikationstabelle:

Muster und Produktionsstückzahlen der neuen SiC-Dioden sind ab sofort mit einer Lieferzeit von 14 Wochen erhältlich.

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