Malvern, Pennsylvania (USA)– 29. Januar2020 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert einen neuen 80-V-TrenchFET^®-Gen-IV-n-Kanal-Leistungs-MOSFET im 6,15 mm
x 5,15 mm großen PowerPAK^®-SO-8-Single-Gehäuse. Der neue SiR680ADP von Vishay Siliconix bietet einen FOM-Wert (Figure of Merit, Produkt aus On-Widerstand und Gate-Ladung) von nur 129 mΩ • nC und markiert damit einen Klassenrekord. Der FOM-Wert ist eine wichtige Kennzahl von MOSFETs, die in Energiewandler- und Schalter-Anwendungen eingesetzt werden. Mit seinem hervorragenden Wert verbessert der SiR680ADP die Energieeffizienz solcher Anwendungen und spart dadurch Strom.

Der neue MOSFET kombiniert einen On-Widerstand ab 2,35 mΩ (typ., bei 10 V Gate-Spannung) mit einer äußerst-geringen Gate-Ladung von nur 55 nC und einer C_OSS von nur 614 pF. Diese Spezifikationen wurden sorgfältig aufeinander abgestimmt, um die Schaltverluste sowie die Kanal- und Dioden-Durchlassverluste zu minimieren und so die Energieeffizienz zu maximieren. Der FOM-Wert des neuen MOSFETs ist um 12,2% geringer als beim nächstbesten Wettbewerbsprodukt und um 22,5% geringer als bei seinem Vorgängerprodukt. Der SiR680ADP ist dadurch die energieeffizienteste Lösung für typische Gleichspannungswandler mit 48 V Eingangs- und 12 V Ausgangsspannung.

Der SiR680ADP ist ein idealer Baustein für DC/DC- und AC/DC-Wandler-Anwendungen unterschiedlichster Art wie z. B: Synchrongleichrichter, primärseitige Schalter, Buck-Boost-Wandler, Resonanzwandler und -"OR-ing" von Stromversorgungen in Telekom- und Datencenter-Servern; Solar Micro-Wechselrichter; Motorsteuerungen in Elektrowerkzeugen und Industrieausrüstung; sowie Batterieschalter in Batteriemanagementmodulen.

Der neue MOSFET wird 100% R_G- und UIS-getestet und ist RoHS-konform und halogenfrei.

Der SiR680ADP ist ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen mit einer Lieferzeit von ca zwölf Wochen lieferbar.

TrenchFET und PowerPAK sind eingetragene Marken der Firma Siliconix Incorporated.