ビシェイ社、統合型40 V MOSFETハーフブリッジパワーステージを発表
クラス最高のRDS(ON) とFOMを提供、電力密度と効率性を向上
省スペース化デバイス、8.05 mΩの低いRDS(ON)、6.5 nC のQgを、
小型PowerPAIR® 3x3Sパッケージで提供
Products mentioned:
SiZ240DTMedia Contact - Bob Decker, Redpines
Phone: 1.415.409.0233
E-mail: bob.decker@redpinesgroup.com
Sales Contact: http://www.vishay.com/
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2020年10月14日：ビシェイ・インターテクノロジー社（米国ペンシルバニア州、NYSE: VSH 、日本法人：ビシェイジャパン株式会社、東京都渋谷区、代表取締役社長：小澤政治）は本日、白物家電、産業、医療、テレコムアプリケーション向けに向上された電力密度と効率性を提供する、新しい40V NチャネルMOSFETハーフブリッジパワーステージを発表しました。ビシェイSiliconixブランドのSiZ240DTは一つの小型PowerPAIR® 3.3 mm x 3.3 mmパッケージにハイサイドとローサイドMOSFETを内蔵し、クラス最高のオン抵抗、およびオン抵抗とゲート電荷量の積（電力変換アプリケーションでのMOSFETの重要な性能指数のFOM）を提供します。
SiZ240DTに内蔵される2つのTrenchFETâ MOSFETは、ハーフブリッジ構成で内部接続されています。チャネル1のMOSFETは10 Vで8.05 mΩ、4.5 Vで12.25 mΩの最大オン抵抗を提供し、一般的には同期バックコンバーターの制御スイッチとして利用されます。チャネル2のMOSFETは10 V で8.41 mΩ、4.5 Vで13.30 mΩのオン抵抗を特長とし、同期スイッチとして利用されます。これらの数値は競合他社の同等製品と比べて16 %も低く、さらに6.9 nC (チャネル1) と6.5 nC (チャネル 2)の低いゲート電荷と組み合わさると、オン抵抗とゲート電荷量の積（FOM）は最も近い競合他社製品と比べて14 %低く、高速スイッチングアプリケーション向けに高効率を提供します。
本日リリースされたデュアルMOSFETは6 mm x 5 mmパッケージのデュアルデバイスと比べて65 %小さく、市場で最も小型の統合型製品です。掃除機、ドローン、パワーツール、ホーム・オフィスオートメーション、移植不可の医療デバイスのモータ制御、同期バック、DC/DC変換、ワイヤレス充電のハーフブリッジパワーステージ、またテレコム装置やサーバーのスイッチモード電源に向けた省スペース化ソリューションを提供します。
統合されたMOSFETはワイヤーフリーの内部構造を特長とし、高周波スイッチングを可能にする寄生インダクタンスを最小限に抑えることで磁気の減少や最終デザインの小型化に貢献します。最適化されたQgd / Qgはノイズを低減し、デバイスのスイッチング特性をさらに向上します。MOSFETは全数RgおよびUIS試験済、RoHSに準拠するハロゲンフリー品です。
サンプルおよび製品は既にご提供可能で、量産時の標準納期は12週間です。
ビシェイ・インターテクノロジー社は、世界最大のディスクリート半導体および受動電子部品ポートフォリオのメーカーです。同社の部品は、自動車、産業、コンピューティング、テレコミュニケーション、航空宇宙、医療における革新的なデザインに採用されています。The DNA of tech.™のビシェイ社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界各国のお客様を支援します。ビシェイ社のホームページは www.vishay.com。
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「PowerPAIRと「TrenchFET」はビシェイ社Siliconix の登録商標です。
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