ビシェイ社、200 V NチャネルMOSFETをPowerPAK® 1212‑8Sで発表
業界最小のRDS(ON) 、電力密度の向上とエネルギーの節約
TrenchFET®デバイス、61 mΩの標準RDS(ON) 、854 mΩ✕nCのFOMを
10.89 mm²パッケージで提供
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SiSS94DNMedia Contact - Bob Decker, Redpines
Phone: 1.415.409.0233
E-mail: bob.decker@redpinesgroup.com
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2020年9月23日：ビシェイ・インターテクノロジー社（米国ペンシルバニア州、NYSE: VSH 、日本法人：ビシェイジャパン株式会社、東京都渋谷区、代表取締役社長：小澤政治）は本日、業界最小の10Vで61 mΩのオン抵抗、またオン抵抗とゲート電荷の積（電力変換アプリケーションでのMOSFETの重要な性能指数のFOM）も向上された200 VのNチャネルTrenchFET® MOSFETを、耐熱性が強化された3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S パッケージで発表しました。ビシェイSiliconixブランドのSiSS94DNは、電力密度を向上する設計で6 mm x 5 mmパッケージで提供され、同等のオン抵抗のデバイスと比べて65 %小さく、スペースを節約します。
本日リリースされたデバイスの標準オン抵抗は同等パッケージサイズの競合製品と比べて20 %低く、FOMは前世代の競合製品と比べて17%低いのが特長です。これらの数値は導通損失とスイッチング損失を軽減することでエネルギーを節約します。小型サイズで様々な用途に使えるこのデバイスは、同等の導通損失でより大きいサイズのMOSFETの代替、また、同等サイズでより高い導通損失のMOSFETを代替することでPCBスペースを節約します。
SiSS94DNはテレコム装置、コンピューター周辺機器、家電製品の遮断されたDC/DCトポロジーの一次スイッチングや同期整流、ノートパソコン、LEDテレビ、車両、船舶のLEDバックライト、GPS、ファクトリー・オートメーション、産業用アプリケーションのモーター駆動制御、負荷スイッチング、電力変換等に最適です。デバイスは全数RgおよびUIS試験済、RoHSに準拠するハロゲンフリー品です。
サンプルおよび製品は既にご提供可能で、量産時の標準納期は12週間です。
ビシェイ・インターテクノロジー社は、世界最大のディスクリート半導体および受動電子部品ポートフォリオのメーカーです。同社の部品は、自動車、産業、コンピューティング、テレコミュニケーション、航空宇宙、医療における革新的なデザインに採用されています。The DNA of tech.™のビシェイ社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界各国のお客様を支援します。ビシェイ社のホームページは www.vishay.com。
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The DNA of tech™ is a trademark of Vishay Intertechnology.
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