Malvern, Pennsylvania (USA) – 8. Juli 2020 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert eine neue 30-V-n-Kanal-MOSFET-Halbbrücken-Leistungsstufe, die einen High-Side-TrenchFET^®-MOSFET und einen Low-Side-SkyFET^®-MOSFET plus eine integrierte Schottky-Diode in einem nur 3,3 mm x 3,3 mm großen PowerPAIR^®-Gehäuse vereint. Die für Spannungswandler-Anwendungen in Computern und Telekom-Ausrüstung vorgesehene Halbbrücken-Leistungsstufe SiZF300DT von Vishay Siliconix zeichnet sich durch höhere Leistungsdichte und höheren Wirkungsgrad aus, außerdem verringert sie die Bauteilanzahl und vereinfacht das Design.

Die beiden MOSFETs in dem neuen Dual-Bauteil sind intern zu einer Halbbrückenschaltung verbunden. Der Kanal-1-MOSFET hat einen maximalen On-Widerstand von 4,5 mΩ bei 10 V Gate-Source-Spannung bzw. 7,0 mΩ bei 4,5 V. Der Kanal-2-MOSFET hat einen maximalen
On-Widerstand von 1,84 mΩ bei 10 V bzw. 2,57 mΩ bei 4,5 V. Die typische Gate-Ladung der MOSFETs beträgt 6,9 nC bzw. 19,4 nC.

Die Halbbrücken-Leistungsstufe SiZF300DT ist um 65% kleiner als konkurrierende Dual-MOSFETs mit vergleichbaren On-Widerständen im Gehäuseformat 6 mm x 5 mm; SiZF300DT ist damit eines der kompaktesten integrierten Leistungsprodukte am Markt. Das Bauteil bietet Entwicklern eine platzsparende Lösung für Point-of-Load- (POL) Spannungswandler, Stromversorgungen, Synchron-Abwärtsregler und Gleichspannungswandler in Grafik- und Beschleunigerkarten, Computern, Servern sowie Telekom- und Funknetz-Ausrüstung.

Dank seiner einzigartigen Pin-Konfiguration und seines innovativen Designs kann der neue Dual-MOSFET bei gleicher Grundfläche bis zu 11% höhere Ausgangsströme – bis über 20 A –pro Stromphase liefern als Konkurrenzprodukte, und das zudem mit höherem Wirkungsgrad. Die spezielle Pin-Konfiguration und das große PGND-Pad verbessern außerdem die Wärmeabfuhr, optimieren den Strompfad und vereinfachen das Leiterplattenlayout.

Die Halbbrücken-Leistungsstufe SiSF20DN wird 100% Rg- und UIS-getestet und ist RoHS-konform und halogenfrei.

Der neue Dual-MOSFET ist ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen lieferbar; die Lieferzeit für große Bestellmengen beträgt zwölf Wochen.

SkyFET, TrenchFET und PowerPAIR sind eingetragene Marken der Firma Siliconix Incorporated.