Malvern, Pennsylvania (USA) – 24. Mai 2021 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert einen neuen, vielseitig einsetzbaren 30-V-n-Kanal-TrenchFET^®-Gen-V-Leistungs-MOSFET, der im Vergleich zu vorherigen Produkten eine höhere Leistungsdichte und Energieeffizienz bietet- sowohl in galvanisch getrennten als auch nicht-isolierten Topologien. Der neue SiSS52DN von Vishay Siliconix im thermisch optimierten, 3,3 mm x 3,3 mm großen PowerPAK^®-1212-8S-Gehäuse bietet unter allen vergleichbaren Bauteilen den niedrigsten On-Widerstand von nur 0,95 mΩ bei 10 V Gate-Spannung – das bedeutet eine Verbesserung um 5% im Vergleich zum Vorgängerprodukt. Schon bei 4,5 V Gate-Spannung beträgt der On-Widerstand nur 1,5 mΩ und das Produkt aus On-Widerstand und Gate-Ladung (FOM) nur 29,8 mΩ • nC – hinsichtlich der für Schaltanwendungen kritischen FOM-Spezifikation ist der SiSS52DN einer der besten MOSFETs am Markt.

Die FOM-Spezifikation des SiSS52DN bedeutet eine Verbesserung um 29% gegenüber Vorgängerprodukten und führt zu entsprechend geringeren Schalt- und Durchlassverlusten, dadurch steigt der Wirkungsgrad von Spannungswandlern.

Der SiSS52DN eignet sich ideal für die Verwendung als Low-Side-Schalter in Anwendungen wie Synchrongleichrichter, Synchron-Abwärtsregler, DC/DC-Wandler, Switch-Tank-Topologien, OR-Verknüpfung von FETs und Lastschalter in Stromversorgungen von Servern, Telekom-Ausrüstung und HF-Systemen. Der neue MOSFET bietet sowohl in galvanisch getrennten als auch nicht-isolierten Anwendungen eine hervorragende Performance und vereinfacht die Bauteilauswahl für Entwickler, die mit beiden Topologien arbeiten.

Das Bauteil ist 100% R_G- und UIS-getestet und ist RoHS-konform und halogenfrei.

Der SiSS52DN ist ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen mit einer Lieferzeit von zwölf Wochen lieferbar.

The DNA of tech™ ist eine Marke der Firma Vishay Intertechnology.  PowerPAK und TrenchFET sind eingetragene Marken der Firma Siliconix Incorporated