Malvern, Pennsylvania (USA) – 25. Januar 2021 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert zehn neue 650-V-Siliziumkarbid- (SiC) Schottky-Dioden. Die neuen, auf einem MPS- (merged PIN Schottky) Design basierenden Schottky-Dioden von Vishay Semiconductors wurden mit dem Ziel entwickelt, die Schaltverluste zu verringern und dadurch die Energieeffizienz von Hochfrequenzanwendungen, unabhängig von Temperatureinflüssen, zu verbessern, wodurch die Bauteile bei höheren Temperaturen als bisher betrieben werden können. 

Das MPS-Design der neuen Schottky-Dioden bewirkt eine Abschirmung des elektrischen Feldes gegenüber der Schottky-Barriere; es verringert Leckströme und erhöht durch Löcherinjektion die Spitzenstrombelastbarkeit. Im Vergleich zu Schottky-Dioden auf der Basis von reinem Silizium sind diese Bauteile bei vergleichbarer Strombelastbarkeit und nur geringfügig höherer Durchlassspannung wesentlich robuster.

Die neuen Schottky-Dioden eröffnen Entwicklern neue Möglichkeiten zur Systemoptimierung in Anwendungen wie: Leistungsfaktorkorrektur-Schaltungen (PFC), Schaltnetzteilen mit hoher Leistung und hoher Taktfrequenz und LLC-Wandlern für Server, Telekomausrüstung, UPS- und Solar-Wechselrichter.  Die neuen Schottky-Dioden sind mit Nennströmen von 4 A bis 40 A in den Gehäusebauformen 2L TO-220AC und TO-247AD 3L verfügbar und für Betriebstemperaturen bis +175°C ausgelegt.  

Die wichtigsten Spezifikationen:

Die neuen SiC-Schottky-Dioden sind ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen mit einer Lieferzeit von zehn Wochen lieferbar.