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–30-V-p-Kanal-MOSFET im PowerPAK®-1212‑8S-Gehäuse stellt neuen Rekord mit extrem kleinen RDS(ON) auf und erhöht die Leistungsdichte und Energieeffizienz mobiler Elektronikprodukte

Branchenrekorde: 3,5 mW RDS(ON) und 172 mW • nC FOM bei 10,89 mm2 Gehäusegrundfläche


Products mentioned:

SiSS05DN
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Malvern, Pennsylvania (USA)– 10. Februar2020 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert einen neuen –30-V-p-Kanal-TrenchFET®-Gen-IV-Leistungs-MOSFET im 3,3 mm x 3,3 mm kleinen, thermisch optimierten PowerPAK®-1212-8S-Gehäuse, der mit einem
On-Widerstand von nur 3,5 mΩ bei 10 V Gate-Spannung einen neuen Branchenrekord aufstellt und zudem in seiner Klasse den kleinsten FOM-Wert, nämlich 172 mΩ • nC, bietet. FOM steht für "figure of merit" und entspricht dem Produkt aus dem On-Widerstand und der Gate-Ladung. Die FOM-Spezifikation ist eine wichtige Kennzahl für MOSFETs, die in Schaltanwendungen eingesetzt werden. Der auf höhere Leistungsdichte hin entwickelte SiSS05DN von Vishay Siliconix ist um 65% kleiner als andere MOSFETs mit gleichem On-Widerstand im 6 mm x 5 mm großen Gehäuse.

Der On-Widerstand des neuen MOSFETs ist um 26% geringer als bei der Vorgängergeneration und um 35% geringer als beim nächstbesten Wettbewerbsprodukt; der FOM-Wert ist um 15% kleiner als beim nächstbesten Wettbewerbsprodukt. Diese industrieweit besten Werte führen zu reduzierten Durchlass- und Schaltverlusten. Durch die damit einhergehenden Energieeinsparungen verlängern sich die Batterielaufzeiten mobiler Geräte. Zugleich werden dadurch Spannungsabfälle auf dem Strompfad minimiert und Fehlauslösungen durch Unterspannugnsabschaltung verringert. Dank ihrer kompakte Bauweise lassen sich die Bauteile leichter in platzbeschränkte Designs integrieren.

Abmessungen und Anschlussbild des SiSS05DN entsprechen dem Industriestandard. Dadurch eignet sich das Bauteil als direkter, leistungsfähigerer Ersatz für vorhandene MOSFETs in Anwendungen mit 5 V bis 20 V Betriebsspannung. Der neue MOSFET eignet sich ideal für Anwendungen wie: Adapter und Lastschalter, Verpolungsschutz, Motorsteuerungen in batteriebetriebenen Geräten, Akkuladegeräte, Consumerelektronik, Computer, Telekomausrüstung und vieles mehr.

Das Bauteil wird 100% RG- und UIS-getestet und ist RoHS-konform und halogenfrei.

Der SiSS05DN ist ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen lieferbar; die Lieferzeit ist von der aktuellen Marktsituation abhängig und beträgt derzeit etwa 12 Wochen. 

Vishay bietet eines der weltweit größten Angebote an diskreten Halbleiterbauelementen und passiven elektronischen Bauteilen, die innovative Designs ermöglichen und in den unterschiedlichsten Märkten Verwendung finden – von Automobilindustrie über Computer, Consumer-Produkte und Telekommunikation bis hin zu Luft-/Raumfahrt-/Wehrtechnik und Medizintechnik. Mit seinem weltweiten Kundenstamm ist Vishay The DNA of tech.TM Vishay Intertechnology, Inc. zählt zu den Fortune-1000-Unternehmen und ist an der New Yorker Börse (NYSE) unter dem Tickersymbol VSH notiert. Weitere Informationen über Vishay finden Sie unter www.vishay.com.

http://twitter.com/vishayindust
http://www.facebook.com/VishayIntertechnology

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PowerPAK und TrenchFET sind eingetragene Marken der Firma Siliconix Incorporated.

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