ビシェイ社、30 V のPチャネルMOSFETをPowerPAK® 1212‑8Sパッケージで発表
業界最小のRDS(ON)を提供、電力密度の向上、エネルギー節約、携帯電子機器に最適
業界最小3.5 mΩのRDS(ON)、172 mΩx nCのFOM、10.89 mm2パッケージで提供
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SiSS05DNMedia Contact - Bob Decker, Redpines
Phone: 1.415.409.0233
E-mail: bob.decker@redpinesgroup.com
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ビシェイ・インターテクノロジー社（米国ペンシルバニア州、NYSE: VSH 、日本法人：ビシェイジャパン株式会社、東京都渋谷区、代表取締役社長：小澤政治）は本日、このクラスで最高の172 mΩ x nCのオン抵抗とゲート電荷の積（電力変換アプリケーションでのMOSFETの重要な性能指数のFOM）、および業界最小の10Vで3.5 mΩのオン抵抗を提供する30 V のPチャネルTrenchFET® Gen IVパワーMOSFETを、耐熱性が強化された3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S パッケージで発表しました。ビシェイSiliconixブランドの SiSS05DNは電力密度を向上するよう設計されており、6 mm x 5 mmパッケージによる同等のオン抵抗を提供するデバイスと比べて65 %小さく、スペースを節約します。
本日リリースされたデバイスのオン抵抗は、前世代のデバイスおよび同等性能の競合製品と比べてそれぞれ26 %、35 %低く、FOMは最も近い競合製品と比べて15 %低いのが特長です。業界最小のこれらの数値は導通損失とスイッチング損失を軽減することでエネルギーを節約し、携帯電子機器のバッテリーの長寿命を提供します。また、電圧降下を最小限に抑えることで誤ったトリガーを防ぎます。デバイスの小型サイズは、PCBスペースが限られた設計に適しています。
業界標準の実装面積を提供するSiSS05DNは、5 V ～ 20 V入力レールを使用した用途での既存部品のアップグレードの代替品として利用可能です。アダプタや負荷スイッチ、逆極性保護、バッテリー式デバイスのモーター駆動制御、バッテリー充電器、家庭用電子機器、コンピュータ、テレコム装置等に最適です。
MOSFETは全数RgおよびUIS試験済、RoHSに準拠するハロゲンフリー品です。
サンプルおよび製品は既にご提供可能で、量産時の標準納期は12週間です。
ビシェイ・インターテクノロジー社は、世界最大のディスクリート半導体および受動電子部品ポートフォリオのメーカーです。同社の部品は、自動車、産業、コンピューティング、テレコミュニケーション、航空宇宙、医療における革新的なデザインに採用されています。The DNA of tech.™のビシェイ社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界各国のお客様を支援します。ビシェイ社のホームページは www.vishay.com。
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「PowerPAK」と「TrenchFET」はSiliconix社の登録商標です。
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